Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, в сильно легированных слоях кремния
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.
Предложена модель ослабления диффузии, ускоренной окислением, в сильно легированных слоях кремния посредством объемной рекомбинации собственных межузельных атомов на центрах, связанных с легирующей примесью. Учет рекомбинации избыточных собственных межузельных атомов, генерируемых при термическом окислении, позволяет описать зависимость ослабления диффузии, ускоренной окислением, от уровня легирования. Из анализа экспериментальных данных по диффузии, ускоренной окислением примесей B и P в изоконцентрационно-легированных слоях кремния, определены константы скорости и рекомбинации о оценены радиусы захвата при различных вариантах взаимодействия избыточных собственных межузельных атомов с примесными атомами и парами примесь-вакансия.
- R.B. Fair. J. Electrochem. Soc., 128, 1360 (1981)
- P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
- S.M. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1974); J. Appl. Phys., 57, 1069 (1985)
- K. Taniguchi, K. Kurosawa, M. Kashiwagi. J. Electrochem. Soc., 127, 2243 (1980)
- M. Miyake. J. Appl. Phys., 57, 1861 (1985)
- M. Miyake. J. Appl. Phys., 58, 711 (1985)
- J.P. John, M. Law. J. Electrochem. Soc., 140, 1489 (1993)
- D.J. Roth, J.D. Plummer. J. Electrochem. Soc., 141, 1074 (1994)
- M.D. Giles. IEEE Trans. Comp. Aided Desing, 8, 460 (1989)
- МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов (М., Радио и связь, 1988) с. 209. [Пер. с англ.: Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, ed. by. P. Antognetti, D. Antoniadis, R.W. Dutton and W.G. Oldham (Martinus Nijhoft Publishers, 1983)]
- C.P. Ho, S.E. Plummer, R.W. Dutton. IEEE Trans. Electron. Dev., 30, 1438 (1983)
- A. Ural, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Appl. Phys. Lett., 73, 1706 (1998)
- W. Wijaranakula. J. Appl. Phys., 67, 7624 (1990)
- A. Leroy. J. Appl. Phys., 50, 7996 (1979)
- E. Rorris, R.R. O'Brien, F.F. Morehead, R.F. Lever, J.P. Peng, G.R. Srinivasan. IEEE Trans. Comp. Aided Desing, 9, 1113 (1990)
- S.W. Crowder, C.J. Hsieh, P.B. Griffin, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 76, 2756 (1994)
- А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1983) гл. 3, с. 141
- Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) с. 134
- B.J. Masters, E.F. Gorey. J. Appl. Phys., 49, 2717 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
