Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 7 » Статья стр. 715
<<<>>>
Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов
DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52766.24
Российский научный фонд, № 20-12-00193
Баграев Н.Т. 1,2, Кукушкин С.А. 1, Осипов А.В. 1, Уголков В.Л.3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: bagraev@mail.ioffe.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com, andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.
PDF версия
Исследованы температурные зависимости продольного сопротивления и теплоемкости эпитаксиальных пленок карбида кремния, выращенных на подложках монокристаллического кремния методом согласованного замещения атомов. Обнаружены особенности в поведении этих зависимостей при значениях температур, равных: 56, 76, 122 и 130oС. Наблюдаемые особенности поведения теплоемкости и продольного сопротивления, с учетом обнаруженного ранее в этих образцах и при этих температурах возникновения гигантского значения диамагнетизма, интерпретированы как электронные фазовые переходы в ансамблях носителей заряда в когерентное (возможно, сверхпроводящее, если учитывать диамагнетизм) состояние. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, метод замещения атомов, углеродно-вакансионные структуры, терагерцовое излучение, наноструктура, квантовый эффект Фарадея, сверхпроводимость, эффект Мейснера-Оксенфельда, эффект Джозефсона, теплоемкость.
  1. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (31), 313001 (2014). https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/31/31300
  2. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov. Phys. Sol. St., 56 (8), 1507 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063783414080137
  3. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Materials, 14, 78 (2021). https://doi.org/10.3390/MA14010078
  4. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Materials, 14, 5579 (2021). https://doi.org/10.3390/ma14195579
  5. N.T. Bagraev, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.V. Romanov, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.S. Khromov. Semiconductors, 55 (2), 137 (2021). https://doi.org/10.1134/S106378262102007X
  6. Н.Т. Баграев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.С. Хромов. ФТП, 55 (11), 1027 (2021). https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51556.9709
  7. Н.Т. Баграев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.С. Хромов. ФТП, 55 (12), 1195 (2021). https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51705.9620
  8. M. Somayazulu, M. Ahart, A.K. Mishra, Z.M. Geballe, M. Baldini, Y. Meng, V.V. Struzhkin, R.J. Hemley. Phys. Rev. Lett., 122 (2), 027001 (2019). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.027001
  9. D.K. Thapa, S. Islam, S.K. Saha, P.S. Mahapatra, B. Bhattacharyya, T. Sai, R. Mahadevu, S. Patil, A. Ghosh, A. Pandey. arXiv:1807.08572 [cond-mat.supr-con]. https://doi.org/10.48550/arXiv.1807.08572
  10. E. Snider, N. Dasenbrock-Gammon, R. McBride, M. Debessai, H. Vindana, K. Vencatasamy, K.V. Lawler, A. Salamat, R.P. Dias. Nature, 586, 373 (2020). https://doi.org/10.1038/s41586-020-2801-z

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme