Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимизация буферного диэлектрического слоя для создания малодефектных эпитаксиальных пленок топологического изолятора Pb_1-xSn_xTe c x≥0.4

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52753.08

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.07.54760.08

РФФИ, ННИО_а, 21-52-12024 ННИО_а

Кавеев А.К.¹, Терещенко О.Е.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: kaveev@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.

Принята к печати: 25 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведена оптимизация ростовых условий буферного слоя для дальнейшего нанесения Pb_1-xSn_xTe (x≥0.4), обладающего свойствами кристаллического топологического изолятора. Для этого на поверхности Si(111) была сформирована и оптимизирована трехкомпонентная гетероструктура, состоящая из слоев CaF₂, BaF₂ и Pb_0.7Sn_0.3Te : In. Исследована морфология поверхности данной структуры в зависимости от температурных режимов роста и подобрано оптимальное сочетание ростовых параметров с точки зрения гладкости и кристаллического качества. Ключевые слова: кристаллический топологический изолятор, молекулярно-лучевая эпитаксия, дифракция быстрых электронов, атомно-силовая микроскопия, Pb_0.7Sn_0.3Te : In.

T.H. Hsieh, H. Lin, J. Liu, W. Duan, A. Bansil, L. Fu. Nature Commun., 3, 982 (2012)
A.N. Akimov, A.V. Belenchuk, A.E. Klimov, M.M. Kachanova, I.G. Neizvestny, S.P. Suprun, O.M. Shapoval, V.N. Sherstyakova, V.N. Shumsky. Techn. Phys. Lett., 35, 524 (2009)
C.A. Lucas, D. Loretto, G.C.L. Wong. Phys. Rev. B, 50, 14340 (1994)
Y.Y. Illarionov, A.G. Banshchikov, D.K. Polyushkin, S. Wachter, T. Knobloch, M. Thesberg, L. Mennel, M. Paur, M. Stoger-Pollach, A. Steiger-Thirsfeld, M.I. Vexler, M. Waltl, N.S. Sokolov, T. Mueller, T. Grasser. Nature Electronics, 2, 230 (2019)
А.К. Кавеев, Д.Н. Бондаренко, О.Е. Терещенко. ФТП, 55 (8), 625 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель