Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge_28.5Pb_14.0Fe_1.0S_56.5

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52589.9843

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.06.53539.9843

Кастро Арата Р.А.¹, Грабко Г.И.², Кононов А.А.¹, Анисимова Н.И.¹, Крбал М.³, Колобов А.В.^1,4

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

²Забайкальский государственный университет, Чита, Россия Transbaikal State University, Chita, Russia

³Университет Пардубице, 530 02 Пардубице, Чехия University of Pardubice, Pardubice, Czech Republic

⁴Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 30 Хигаси, Цукуба, Япония National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi, Tsukuba, Japan

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Higashi, Tsukuba, Japan

Email: recastro@mail.ru

Поступила в редакцию: 24 февраля 2022 г.

В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.

Принята к печати: 25 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования поляризационных свойств тонких слоев стеклообразной гибридной системы Ge_28.5Pb_14.0Fe_1.0S_56.5. Обнаружен процесс дипольно-релаксационной поляризации, энергия активации которого оказалась равной E_a= (0.97± 0.14) эВ. Выявлено, что перенос заряда в исследуемой гибридной системе Ge_28.5Pb_14.0Fe_1.0S_56.5 является термически активированным процессом с энергией активации, равной E_a= (0.4± 0.01) эВ. Результаты расчетов позволяют заключить, что стеклообразующая способность системы (Ge_28.5Pb_15.0S_56.5)_100-xFe_x линейно уменьшается с увеличением доли металла в структуре стекла. Ключевые слова: прыжковый механизм переноса, тонкие слои, стеклообразная гибридная система, неподеленные электронные пары.

D. Cha, H. Kim, Y. Hwang, J. Jeong, J. Kim. Appl. Optics, 51 (23), 5649 (2012)
G.E. Snopatin, V.S. Shiryaev, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov, M.F. Churbanov. Inorg. Mater., 45 (13), 1439 (2009)
J. Charrier, M.L. Brandily, H. Lhermite, K. Michel, B. Bureau, F. Verger, V. Nazabal. Sensors Actuators B, 173, 468 (2012)
B. Zhang, W. Guo, Y. Yu, C. Zhai, S. Qi, A. Yang, L. Li, Z. Yang, R. Wang, D. Tang, G. Tao, B. Luther-Davies. J. Am. Ceram. Soc., 98 (5), 1389 (2015)
A. Kolobov, P. Fons, A. Frenkel, A. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Materials, 3, 703 (2004)
S. Sekander, C. Wright. J. Appl. Phys., 95 (2), 504 (2004)
L.A. Lacaita. Solid State Electron., 50 (1), 24 (2006)
A. Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti, A.L. Lacaita. Chem. Rev., 103, 101 (2008)
M.I. Mohammed, A.S. Abd-rabo, E.A. Mahmoud. Egyptian J. Solids, 25 (1), 49 (2002)
L.A. Wahab, H.H. Amer. Egyptian J. Solids, 28 (2), 255 (2005)
Z.S. El-Mandouh, H.A. EL-Meleeg. J. Appl. Sci. Res., 4 (3), 296 (2008)
A.E. Betkheet, N.A. Hegab. Vacuum, 83, 391 (2009).
A. Dwivedi, R. Arora, N. Mehta, N. Choudhary, A. Kumar. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 8 (3), 45 (2005)
M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 28 (6), 355 (1972)
A.V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Tanaka, K. Tanaka. Phys. Rev. B, 55 (2), 726 (1997)
R.A. Castro-Arata, G.I. Grabko, A.A. Kononov, N.I. Anisimova, M. Krbal, A.V. Kolobov. Semiconductors, 55 (5), 450 (2021)
К. Kremer, А. Schonhals (еds.) Broadband Dielectric Spectroscopy (Springer, Berlin-Heidelberg, 2003) p. 729
С.Н. Мустафаева. Журн. радиоэлектроники, 5, 11 (2008)
A.K. Jonscher. Universal relaxation law (London, Chelsea Dielectric Press, 1996) p. 415
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 368
И.В. Кляцкина, И.К. Шлимак. ФТП, 12 (1), 134 (1978)
J.C. Giuntini, J.V. Zanchetta, D. Jullien, R. Eholie, P. Houenou. J. Non-Cryst. Sol., 45 (1), 57 (1981)
G. Bordovsky, V. Bordovsky, N. Anisimova, R. Castro, V. Seldjaev. Abstracts II Int. Materials Symp. (Materials, 2003; April 2003, Caparica, Portugal) p. 59
S.R. Elliot. Adv. Phys., 36 (2), 135 (1987)
G.A. Bordovskii, R.A. Castro. Glass Phys. Chem., 32 (3), 315 (2009)
С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина. Стеклообразование (М., Наука, 1990) с. 279
L. Zhenhua. J. Non-Cryst. Sol., 127 (3), 298 (1991)
A.V. Kolobov, J. Tominaga. Chalcogenides: metastability and phase-change (Springer, 2012) p. 181.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель