Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование ван-дер-ваальсовых кристаллов GaSe и GaS_xSe_1-x методом фотоотражения

DOI: 10.21883/FTP.2022.04.52198.9778

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.04.53236.9778

Хахулин С.А.¹, Кох К.А.^2,3, Комков О.С.

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия Kemerovo State University, Kemerovo, Russia

Email: khsmn@ya.ru, okomkov@yahoo.com

Поступила в редакцию: 30 ноября 2021 г.

В окончательной редакции: 14 декабря 2021 г.

Принята к печати: 14 декабря 2021 г.

Выставление онлайн: 27 января 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Спектры фотоотражения слоистых нелегированных кристаллов GaSe и GaS_xSe_1-x содержат осцилляции Франца-Келдыша, указывающие на наличие в приповерхностной области кристаллов встроенного электрического поля, которое может участвовать в разделении фотоиндуцированных носителей заряда в сверхвысокочувствительных фотоприемниках на основе этих материалов. Измеренное значение напряженности поля в GaS_xSe_1-x оказалось практически в 1.5 раза меньше, чем в GaSe, что может указывать на наличие в твердом растворе меньшего числа свободных носителей заряда. Параметр уширения спектральных линий в случае GaS_xSe_1-x также значительно меньше по сравнению с GaSe. Это связано с тем, что изовалентные атомы при их добавлении в структуру GaSe заполняют вакансии Ga, уменьшая число дефектов кристаллической структуры и концентрацию собственных носителей заряда. Сильнополевой режим модуляции, наблюдаемый в спектре фотоотражения GaS_xSe_1-x, легированного донорной примесью Al, указывает на относительно малую толщину области обеднения вследствие наличия большого числа свободных электронов. Ключевые слова: фотоотражение, осцилляции Франца-Келдыша, GaSe, моноселенид галлия, ван-дер-ваальсовые кристаллы, слоистые полупроводники.

Q. Tang, A.A. Zhou. Progr. Mater. Sci., 58 (8), 1244 (2013)
Q. He, Y. Liu, C. Tan, W. Zhai, G.H. Nam, H. Zhang. ACS Nano, 13 (11), 12294 (2019)
Y. Wang, Z. Nie, F. Wang. Light Sci. Appl., 9, 192 (2020)
A.J. Watson, W. Lu, M. Guimaraes, M. Sohr. 2D Mater., 8 (3), 032001 (2021)
M. Nayeri, M. Moradinasab, M. Fathipour. Sci. Technol., 33 (2), 025002 (2018)
Yu.M. Andreev, K.A. Kokh, G.V. Lanskii, A.N. Morozov. J. Cryst. Growth, 318 (1), 1164 (2011)
P.A. Hu, Z. Wen, L. Wang, P. Tan, K. Xia. ACS Nano, 6 (7), 5988 (2012)
Y. Cao, K. Cai, P. Hu, L. Zhao, T. Yan, W. Luo, X. Zhang, X. Wu, K. Wang, H. Zheng. Sci. Rep., 5, 8130 (2015)
D.J. Late, B. Liu, J. Luo, A. Yan, H.R. Matte, M. Grayson, C.N.R. Rao, V.P. Dravid. Adv. Mater., 24 (26), 3549 (2012)
F. Meyer, E.E. De Kluizenaar, D. Den Engelsen. JOSA, 63 (5), 529 (1973)
L. Karvonen, A. Saynatjoki, S. Mehravar, R.D. Rodriguez, S. Hartmann, D.R.T. Zahn, S. Honkanenet, R.A. Norwood, N. Peyghambarian, K. Kieu, H. Lipsanen, J. Riikonen. Sci. Rep., 5, 10334 (2015)
T. Afaneh, A. Fryer, Y. Xin, R.H. Hyde, N. Kapuruge, H.R. Gutierrez. ACS Appl. Nano Mater., 3 (8), 7879 (2020)
H. Cai, Y. Gu, Y.C. Lin, Y. Yu, D.B. Geohegan, K. Xiao. Appl. Phys. Rev., 6 (4), 041312 (2019)
V.I. Shtanov, A.A. Komov, M.E. Tamm, D.V. Atrashenko, V.P. Zlomanov. Dokl. Chem., 361 (1-3), 140 (1998)
A. Rizzo, C. de Blasi, M. Catalano, P. Cavaliere. Phys. Status Solidi A, 105 (1), 101 (1988)
V.G. Dmitriev, G.G. Gurzadyan, D.N. Nikogosyan. Handbook for Nonlinear Optical Crystals, 3rd edn (Berlin, Springer, 1999)
J.F. Molloy, M. Naftaly, Yu. Andreev, K. Kokh, G. Lanskii, V. Svetlichnyi. Optical Mater. Express, 4 (11), 2451 (2014)
О.С. Комков. ФТТ, 63 (8), 991 (2021)
K.A. Kokh, J.F. Molloy, M. Naftaly, Yu.M. Andreev, V.A. Svetlichnyi, G.V. Lanskii, I.N. Lapin, T.I. Izaak, A.E. Kokh. Mater. Chem. Phys., 154, 152 (2015)
Z. Feng, J. Guo, Z. Kang, Y. Jiang, J. Gao, J. Xie, L. Zhang, V. Atuchin, Y. Andreev, G. Lanskii, A. Shaiduko. Appl. Phys. B, 108 (3), 545 (2012)
J. Guo, D.J. Li, J.J. Xie, L.M. Zhang, Z.S. Feng, Yu.M. Andreev, K.A. Kokh, G.V. Lanskii, A.I. Potekaev, A.V. Shaiduko, V.A. Svetlichnyi. Laser Phys. Lett., 11 (5), 055401 (2014)
J. Guo, J.-J. Xie, D.-J. Li, G.-L. Yang, F. Chen, C.-R. Wang, L.-M. Zhang, Yu.M. Andreev, K.A. Kokh, G.V. Lanskii, V.A. Svetlichnyi. Light Sci. Appl., 4 (12), 362 (2015)
J.S. Hwang, C.C. Chang, M.F. Chen, C.C. Chen, K.I. Lin, F.C. Tang, M. Hong, J. Kwo. J. Appl. Phys., 94 (1), 348 (2003)
X. Yin, H.M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall. J. Vac. Sci. Technol. A, 10 (1), 131 (1992)
О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Ю.В. Жиляев, Л.М. Федоров. Письма ЖТФ, 34 (1), 81 (2008)
О.С. Комков, С.А. Хахулин, Д.Д. Фирсов, П.С. Авдиенко, И.В. Седова, С.В. Сорокин. ФТП, 54 (10), 1011 (2020)
S.V. Sorokin, P.S. Avdienko, I.V. Sedova, D.A. Kirilenko, V.Y. Davydov, O.S. Komkov, D.D. Firsov, S.V. Ivanov. Materials, 13 (16), 3447 (2020)
D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
S.J. Zelewski, R. Kudrawiec. Sci. Rep., 7 (1), 15365 (2017)
M. Kepinska, Z. Kovalyuk, R. Murri, M. Nowak. 3rd Int. Conf.'Novel Applications of Wide Bandgap Layers' Abstract Book (Cat. No. 01EX500) (Zakopane, Poland, 2001) p. 146
T.J.C. Hosea. Phys. Status Solidi B, 189, 531 (1995)
O.S. Komkov, G.F. Glinskii, A.N. Pikhtin, Y.K. Ramgolam. Phys. Status Solidi A, 206 (5), 842 (2009)
P.J. Hughes, B.L. Weiss, T.J.C. Hosea. J. Appl. Phys., 77 (12), 6472 (1995)
G. Ottaviani, C. Canali, F. Nava, Ph. Schmid, E. Mooser, R. Minder, I. Zschokke. Sol. St. Commun., 14 (10), 933 (1974)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 7 (10), 4605 (1973)
O.V. Voevodina, A.N. Morozov, S.Y. Sarkisov, S.A. Bereznaya, S.V. Korotchenko, D.E. Dikov. Proc. 9th Russian-Korean Int. Symp. on Science and Technology (Novosibirsk, Russia, 2005) p. 551
V.G. Voevodin, S.A. Bereznaya, Z.V. Korotchenko, A.N. Morozov, S.Y. Sarkisov, N.C. Fernelius, J.T. Goldstein. MRS Online Proceedings Library, 829, 443 (2004)
А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров. ФТП, 27 (7), 1139 (1993).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель