Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Детектор терагерцового излучения на основе термоэлектрического материала Bi₈₈Sb₁₂^*

DOI: 10.21883/FTP.2022.04.52192.7a

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.04.53229.7a

Russian Science Foundation, 19-72-10141

Макарова Е.С.

¹, Асач А.В.

¹, Тхоржевский И.Л.

¹, Сединин А.Д.

¹, Зыков Д.В.¹, Зайцев А.Д. ¹, Демченко П.C.

¹, Новоселов М.Г. ¹, Комаров В.А.

², Тукмакова А.С.

¹, Новотельнова А.В.

¹, Каблукова Н.С.

^1,2,3, Ходзицкий М.К. ¹

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный университет промышленных технологий и дизайна, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University of Industrial Technologies and Design, St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State University of Industrial Technologies and Design, St. Petersburg, Russia

Email: makarova_helena_2011@mail.ru, avasach@itmo.ru, tkhorzhevskiy.ivan.l@gmail.com, adsedinin@itmo.ru, dvzykov@itmo.ru, a.zaytsev@niuitmo.ru, petr.s.demchenko@gmail.com, m.nvslv@gmail.com, va-komar@yandex.ru, astukmakova@itmo.ru, novotelnova@yandex.ru, kablukova.natali@yandex.ru, khodzitskiy@yandex.ru

Поступила в редакцию: 24 сентября 2021 г.

В окончательной редакции: 20 ноября 2021 г.

Принята к печати: 20 ноября 2021 г.

Выставление онлайн: 27 января 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Излучение терагерцового диапазона частот перспективно для визуализации, детектирования и передачи данных. Общим для всех этих применений является проблема поиска высокочувствительного, быстродействующего, компактного терагерцового детектора, работающего при комнатной температуре. Поэтому в настоящий момент стоит проблема поиска новых материалов для использования в системах детектирования терагерцового излучения. Значительным потенциалом для решения данной проблемы обладают термоэлектрические материалы на основе твердых растворов висмута и сурьмы. В данной работе впервые исследован отклик в пленках толщиной 70 и 150 нм из термоэлектрического материла Bi₈₈Sb₁₂ при воздействии терагерцового излучения на частоте 0.14 ТГц. Ключевые слова: терагерцовое излучение, фотоотклик, висмут, сурьма, термоэлектрические материалы, тонкие пленки.

P. Bawuah, J.A. Zeitler. Trends Anal. Chem., 139, 116272 (2021)
A. Bandyopadhyay, A. Sengupta. IETE Tech. Rev., 1-19 (2021)
H. Rahaman, A. Bandyopadhyay, S. Pal, K.P. Ray. IETE Tech. Rev., 1-14 (2020)
S.S. Dhillon, M.S. Vitiello, E.H. Linfield, A.G. Davies, M.C. Hoffmann et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 50 (4), 043001 (2017)
F. Sizov. Semicond. Sci. Technol., 33, 123001 (2018)
R.A. Lewis. J. Phys. D: Appl. Phys., 52, 433001 (2019)
A.D. Zaitsev, P.S. Demchenko, D.V. Zykov, E.A. Korotina, E.S. Makarova, I.L. Tkhorzhevskiy, A.S. Tukmakova, N.S. Kablukova, A.V. Asach, A.V. Novotelnova, M.K. Khodzitsky. Appl. Sci., 10 (8), 2724 (2020)
M.K. Khodzitsky, P.S. Demchenko, D.V. Zykov, A.D. Zaitsev, E.S. Makarova, A.S. Tukmakova, I.L. Tkhorzhevskiy, A.V. Asach, A.V. Novotelnova, N.S. Kablukova. Photonics, 8 (3), 76 (2021)
T.-R. Chang, Q. Lu, X. Wang, H. Lin, T. Miller, T.-C. Chiang, G. Bian. Crystals, 9 (10), 510 (2019)
V.M. Grabov et al. J. Thermoelectr., 1, 41 (2009)
В.М. Грабов, Е.В. Демидов, В.А. Комаров, М.М. Климантов. ФТТ, 51 (4), 800 (2009)
В.М. Грабов, Е.В. Демидов, В.А. Комаров. ФТТ, 52 (6), 1219 (2010)
В.М. Грабов, Е.В. Демидов, В.А. Комаров. ФТТ, 50 (7), 1312 (2008)
E. Gerlach, M. Rautenberg. Phys. Status Solidi B, 75 (2), 553 (1976)
В.М. Грабов, Н.П. Степанов. ФТП, 35 (2), 155 (2001)
A. Zaitsev, P.S. Demchenko, M.K. Khodzitsky, E.S. Makarova, A.S. Tukmakova, A.V. Asach, A.V. Novotelnova, N.S. Kablukova. Phys. Status Solidi Rapid Res. Lett., 14 (7), 2000093 (2020)
F. Chu, M. Chen, Y. Wang, Y. Xie, B. Liu, Y. Yang, X. An, Y. Zhang. J. Mater. Chem. C, 6 (10), 2509 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель