Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анизотропные напряжения в слоях GaN(1120) на подложке r-Al₂O₃ при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52108.9758

Бессолов В.Н.¹, Коненкова Е.В.¹, Середова Н.В.¹, Пантелеев В.Н.¹, Щеглов М.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: lena@triat.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 18 октября 2021 г.

В окончательной редакции: 10 ноября 2021 г.

Принята к печати: 10 ноября 2021 г.

Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается о росте неполярных GaN(1120) структур методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии с использованием буферного слоя AlN, синтезированного методом эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке r-Al₂O₃. Показано, что упругие напряжения в структуре GaN(1120)/r-Al₂O₃ в направлении осей "c" и "a" слоя различаются, коррелируют с величинами полуширин кривых качания спектров рентгеновской дифракции в этих направлениях и обусловлены анизотропией коэффициентов термического расширения решеток как слоя, так и подложки. Ключевые слова: неполярный нитрид алюминия, анизотропия напряжений в слое.

M. Khan, J.N. Kuznia, A.R. Bhattarai, D.T. Olson. Appl. Phys. Lett., 62, 1786 (1993)
M.A. Alim, A.Z. Chowdhury, Sh. Islam, Ch. Gaquiere, G. Crupi. Electronics, 10, 1115 (2021)
K.J. Singh, Y.-M. Huang, T. Ahmed, A.-Ch. Liu, S.-W. Huang Chen, F.-J. Liou, T. Wu, Ch.-Ch. Lin, Ch.-W. Chow, G.-R. Lin, H.-Ch. Kuo. Appl. Sci., 10, 7384 (2020)
T. Paskova, R. Kroeger, D. Hommel, P.P. Paskov, B. Monemar, E. Preble, A. Hanser, N.M. Williams, M. Tutor. Phys. Status Solidi C, 4, 25369 (2007)
X. Ni, Y.Fu, Y.T. Moon, N. Biyikli, H. Morkoc. J. Cryst. Growth, 290, 166 (2006)
R.K. Pant, D.K. Singh, B. Roul, A.M. Chowdhury, G. Chandan, K.K. Nanda, S.B. Krupanidhi. Phys. Status Solidi A, 216, 1900171 (2019)
A.A. Donskov, L.I. D'yakonov, A.V. Govorkov, Y.P. Kozlova, S.S. Malakhov, A.V. Markov, M.V. Mezhennyi, V.F. Pavlov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, T.G. Yugova, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (6), 1937 (2008)
M. Lee, M. Yang, S. Park. Cryst. Eng. Commun., 20, 1 (2018)
J. Yang, T. Wei, Q. Hu, Z. Huo, B. Sun, R. Duan, J. Wang. Mater. Sci. Semicond. Process., 29, 357 (2015)
V. Bessolov, A. Kalmykov, E. Konenkova, S. Kukushkin, A. Myasoedov, N. Poletaev, S. Rodin. J. Cryst. Growth, 457, 202 (2017)
С.А. Смирнов, В.Н. Пантелеев, Ю.В. Жиляев, С.Н. Родин, А.С. Сегаль, Ю.Н. Макаров, А.В. Буташин. ЖТФ, 78 (12), 70 (2008)
V. Aggarwal, C. Ramesh, P. Tyagi, S. Gautam, A. Sharma, S. Husale, M.S. Kumar, S.S. Kushvaha. Mater. Sci. Semicond. Proc., 125, 105631 (2021)
T. Paskova, V. Darakchieva, P.P. Paskov, J. Birch, E. Valcheva, P.O.A. Persson, B. Arnaudov, S. Tungasmitt, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 281, 55 (2005)
H. Shin, K. Jeon, Y. Jang, M. Gang, M. Choi, W. Park, K. Park. J. Korean Phys. Soc., 63 (8), 1621 (2013)
T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki. Phys. Status Solidi C, 0 (7), 2154 (2003)
В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев. ЖТФ, 90 (12), 123 (2020)
G. Grabowski, R. Lach, Z. Pedzich, K. Swierczek, A Wojteczko. Arch. Civil Mechan. Engin., 18, 188 (2018)
W. Qian, M. Skowronski, G.R. Rohrer. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 423, 475 (1996)
K. Wang, R.R. Reeber. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 863 (1998)
H.P. Maruska, J.J. Tietjen. Appl. Phys. Lett., 15, 327 (1969)
J. Lahnemann, U. Jahn, O. Brandt, T. Flissikowski, P. Dogan, H.T. Grahn. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 423001 (2014)
C.M. Drum. Phil. Mag., 11 (110), 313 (1965)
P. Vennegues, J.M. Chauveau, Z. Bougrioua, T. Zhu, D. Martin, N. Grandjean. J. Appl. Phys., 112, 113518 (2012)
M. Albrecht, S. Christiansen, G. Salviati, C. Zanotti-Fregonara, Y.T. Rebane, Y.G. Shreter, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K.J. Ebeling, M.D. Bremser, R.F. Davis, H.P. Strunk. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 468, 293 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель