"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние структурно-морфологических характеристик на сенсорные свойства пленок CdxPb1-xS
Маскаева Л.Н. 1,2, Ваганова И.В.1,2, Марков В.Ф. 1,2, Бездетнова А.Е.1, Селянина А.Д.1, Воронин В.И. 3, Селянин И.О.1,4
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: larisamaskaeva@yandex.ru
Поступила в редакцию: 31 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 5 августа 2021 г.
Принята к печати: 5 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.

Химическим осаждением на ситалловую подложку при варьировании в реакционной смеси концентрации соли ацетата кадмия Cd(CH3COO)2 в пределах 0.01-0.10 моль/л получены поликристаллические пленки пересыщенных твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0.021≤ x≤0.090) с кубической структурой B1 (пр. гр. Fm3m) толщиной от ~0.4 до ~1.0 мкм. Установлена корреляция между структурно-морфологическими и функциональными свойствами тонкопленочных слоев CdxPb1-xS. Экстремальный характер зависимости вольтовой чувствительности от концентрации соли кадмия в реакционной ванне связан с немонотонным вхождением кадмия в кристаллическую решетку PbS. Показано, что максимальным фототоком обладают тонкопленочные слои CdxPb1-xS, сформированные из кристаллитов, имеющих выраженную кристаллографическую огранку. Обнаружена поверхностная чувствительность пленок CdxPb1-xS к присутствию ~0.02 мг/м3 NO2 в воздушной среде, что значительно ниже принятых предельно допустимых концентраций. Ключевые слова: химическое осаждение, морфология пленок, структурные свойства, твердый раствор CdxPb1-xS, фоточувствительность, сенсорные свойства.
  1. W.W. Scanlon. J. Phys. Chem. Solids, 8, 423 (1959)
  2. P.M. Khanzode, D.I. Halge, V.N. Narwade, J.W. Dadge, K.A. Bogle. Optik, 226 (1), 165933 (2020)
  3. E. Pentia, V. Draghici, G. Sarau. J. Electrochem. Soc., 151 (11), G729 (2004)
  4. A. Ounissi, N. Ouddai, S. Achour. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 37 (3), 241 (2007)
  5. V. Rakovics. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 900, 87 (2005)
  6. А.Е. Rakhshani, В. Pradeep, Н.A. Ramazaniyan. Chem. Sol. Deposit. of Semicond. and Non-Metal. Films: Proc. Int. Symp. Electrochem. Soc., 32, 49 (2006)
  7. P.L. Nichols, Z. Liu, L. Yin, S. Turkdogan, F. Fan, C.Z. Ning. Nano Lett., 15, 909 (2015)
  8. A.E. Bezdetnova, V.F. Markov, L.N. Maskaeva, Yu.G. Shashmurin, A.S. Frants, T.V. Vinogradova. J. Anal. Chem., 74 (12), 1256 (2019)
  9. D.A. Caselli, C.Z. Ning. Opt. Express, 19 (S4), A686 (2011)
  10. G.L. Tan, L. Liu, W. Wu. AIP Adv., 4, 067107 (2014)
  11. K.E. Suryavanshi, R.B. Dhake, A.M. Patil, M.R. Sonawane. Optik, 218, 165008 (2020)
  12. R.K. Dutta. Nat. Sci., 9 (1), 21 (2020)
  13. L.N. Maskaeva, E.V. Mostovshchikova, I.V. Vaganova, V.F. Markov, V.I. Voronin, A.D. Kutyavina, E.G. Vovkotrub. Thin Sol. Films, 718, 138468 (2020)
  14. В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, П.Н. Иванов. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование, эксперимент (Екатеринбург, УрО РАН, 2006)
  15. S. Rajathi, K. Kirubavathi, K. Selvaraju. J. Taibah Univ. for Sci., 11 (6), 1296 (2017)
  16. S.R. Deo, A.K. Singh, L. Deshmukh, L.J. Paliwal, R.S. Singh. Optik, 126 (20), 2311 (2015)
  17. M.A. Barote, S.S. Kamble, L.P. Deshmukh, E.U. Masumdar. Ceram. Int., 39 (2), 1463 (2013)
  18. S.M. Ho. Int. J. Thin. Films Sci. Techn., 10 (1), 45 (2021)
  19. A. Mohammed, Ali M. Mousa, J.P. Ponpon. J. Semicond. Technol. Sci., 9 (2), 117 (2009)
  20. H.M. Rietveld. J. Appl. Crystallogr., 2 (2), 65 (1969)
  21. D.L. Bush, J.E. Post. Rev. in Min., 20, 369 (1990)
  22. J. Rodriges-Carvajal. Physica B, 192 (1-2), 55 (1993)
  23. G.K. Williamson, W.H. Hall. Acta Metall., 1 (1), 22 (1953)
  24. Л.Е. Шелимова, В.Н. Томашик, В.И. Грыцив. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb) (М., Наука, 1991) гл. 9 с. 256
  25. Л.Н. Маскаева, Е.В. Мостовщикова, В.Ф. Марков, В.И. Воронин, А.В. Поздин, И.О. Селянин, А.И. Михайлова. ФТП, 55 (11), 1049 (2021)
  26. В.Ф. Марков, Л.H. Маскаева, Ю.С. Поликарпова, М.П. Миронов, В.Н. Родин, Л.С. Соловьев, Б.В. Берг, В.Н. Потапов. Патент РФ 2305830. Заявка 2006115277/28 от 03.05.2006, опубл. 10.09.2007

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.