"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модель роста наноостровков кремния на сапфире
Кривулин Н.О.1, Павлов Д.А.1, Шиляев П.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 ноября 2013 г.

Уточняется модель роста наноостровков кремния на сапфире в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что рост островков кремния происходит за счет диффузии материала из смачивающего слоя, при этом рост за счет прямого попадания атомов вклада практически не дает.
  • P. Bettotti et al. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 8253 (2002)
  • S. Yanagiya, M. Ishida. J. Electron. Mater., 28 (5), 496 (1999)
  • Y. Zhu, P.P. Ong. Surf. Rev. Lett., 8 (5), 559 (2001)
  • О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
  • Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. Кремний --- материал наноэлектроники (М., Техносфера, 2007)
  • Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Е.В. Коротков, Н.О. Кривулин. Письма ЖТФ, 36 (12), 15 (2010)
  • Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Е.В. Коротков, Н.О. Кривулин, А.И. Бобров. Изв. РАН. Сер. физ., 76 (9), 1115 (2012)
  • В.Г. Дубровский. Теоретические основы технологии полупроводниковых наноструктур (СПб., 2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.