Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb

Бобров А.И.¹, Павлова Е.Д.¹, Кудрин А.В.¹, Малехонова Н.В.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована кристаллическая структура и состав пленки GaMnSb, полученной на подложке GaAs (100) методом осаждения из лазерной плазмы в потоке водорода при температуре 400^oC. Обнаружено образование включений GaMn в матрице GaSb : Mn, в стехиометрическом соотношении Ga_162.5Mn_101.5.

L. Chen, S. Yan, P.F. Xu, J. Lu, W.Z. Wang, J.J. Deng, X. Qian, Y. Ji, J.H. Zhao. Appl. Phys. Lett., 95, 182 505 (2009)
E. Abe, F. Matsukura, H. Yasuda, Y. Ohno, H. Ohno. Physica E, 7 (3--4), 981 (2000)
F. Matsukura, E. Abe, H. Ohno. J. Appl. Phys., 87, 6442 (2000)
X. Chen, M. Na, M. Cheon, S. Wang, H. Luo, B.D. McCombe, X. Liu, Y. Sasaki, T. Wojtowicz, J.K. Furdyna, S.J. Potashnik, P. Schiffer. Appl. Phys. Lett., 81, 511 (2002)
H. Luo, G.B. Kim, M. Cheon, X. Chen, M. Na, S. Wang, B.D. McCombe, X. Liu, Y. Sasaki, T. Wojtowicz, J.K. Furdyna, G. Boishin, L.J. Whitman. Physica E, 20, 338 (2004)
P. Maliadevan, A. Zunger. Phys. Rev. В, 68, 075 202 (2003)
E. Abe, F. Matsukura, H. Yasuda, Y. Ohno, H. Ohno. Physica E, 7, 981 (2000)
H. Akinaga, M. Mizuguchi, T. Manago, T. Sato, H. Kuramochi, K. Ono, H. Ofuchi, M. Oshima. Physica E, 10, 447 (2001)
M. Mizuguchi, H. Akinaga, K. Ono, M. Oshima. Appl. Phys. Lett., 76, 1743 (2000)
Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, А.В. Кудрин, В.П. Лесников, В.В. Подольский. Нанотехника, 1, 32 (2008)
Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин, О.В. Вихрова, С.М. Планкина, В.С. Дунаев, А.В. Нежданов, Ю.Н. Дроздов, М.В. Сапожников. Изв. РАН. Сер. физ., 76, 199 (2012)
User's Guide: Precision Ion Polishing System (Gatan inc., rev. 3.11.1998)
M. Bostrom, S. Hovmoller. J. Solid State Chem., 153, 398 (2000)
O. Gourdon, G.J. Miller. J. Solid State Chem., 173, 137 (2003)
Sang-Hwan Kim, M. Bostroem, Dong-Kyun Seo. J. Amer. Chem. Soc., 130 (4), 1384 (2008)
M. Bostroem, S. Hovmoeller. J. Alloys Comp., 314, 154 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель