Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 10 » Статья стр. 895
<<<>>>
Модификация электронных свойств поверхности n-InP(100) сульфидными растворами
DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51440.39
РФФИ, 20-03-00523
Лебедев М.В. 1, Львова Т.В. 1, Смирнов А.Н. 1, Давыдов В.Ю. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, valery.davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.
PDF версия
Электронные свойства пассивированных различными сульфидными растворами поверхностей n-InP(100) изучались с помощью методов фотолюминесценции и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Показано, что процесс пассивации приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции полупроводника, свидетельствующему о снижении скорости поверхностной безызлучательной рекомбинации, сопровождаемому сужением приповерхностной области пространственного заряда и увеличением электронной плотности в анализируемом объеме полупроводника. Эффективность электронной пассивации поверхности n-InP(100) зависит от состава сульфидного раствора. Ключевые слова: фосфид индия, модификация поверхности, сульфидная пассивация, спектроскопия комбинационного рассеяния света, фотолюминесценция.
  1. J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  2. M. Smit, K. Williams, J. van der Tol. APL Photonics, 4, 050901 (2019)
  3. Q. Lin, D. Sarkar, Y. Lin, M. Yeung, L. Blankemeier, J. Hazra, W. Wang, S. Niu, J. Ravichandran, Z. Fan, R. Kapadia. ACS Nano, 11, 5113 (2017)
  4. H.J. Joyce, J. Wong-Leung, C.-K. Yong, C.J. Docherty, S. Paiman, Q. Gao, H.H. Tan, C. Jagadish, J. Lloyd-Hughes, L.M. Herz, M.B. Johnston. Nano Lett., 12, 5325 (2012)
  5. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, C.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
  6. F. Zafar, A. Iqbal. Proc. Royal Soc. A, 472, 20150804 (2016)
  7. Z. Li, I. Yang, L. Li, Q. Gao, J.S. Chong, Z. Li, M.N. Lockrey, H.H. Tan, C. Jagadish, L.Fu. Prog. Nat. Sci. Mater., 28, 178 (2018)
  8. Z. Wu, P. Liu, W. Zhang, K. Wang, X.W. Sun. ACS Energy Lett., 5, 1095 (2020)
  9. N. Tajik, C.M. Haapamaki, R.R. LaPierre. Nanotechnology, 23, 315703 (2012)
  10. C.-F. Yen, M.-K. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 30, 052201 (2012)
  11. H.-K. Kang, Y.-S. Kang, M. Baik, K.-S. Jeong, D.-K. Kim, J.-D. Song, M.-H. Cho. J. Phys. Chem. C, 122, 7226 (2018)
  12. D.H. van Dorp, L. Nyns, D. Cuypers, T. Ivanov, S. Brizzi, M. Tallarida, C. Fleischmann, P. Honicke, M. Muller, O. Richard, D. Schmeib er, S. De Gendt, D.H.C. Lin, C. Adelmann. ACS Appl. Electron. Mater., 1, 2190 (2019)
  13. S. Tian, Z. Wei, Y. Li, H. Zhao, X. Fang, J. Tang, D. Fang, L. Sun, G. Liu, B. Yao, X. Ma. Mater. Sci. Semicond. Process., 17, 33 (2014)
  14. M.V. Lebedev, Yu.M. Serov, T.V. Lvova, R. Endo, T. Masuda, I.V. Sedova. Appl. Surf. Sci., 533, 147484 (2020)
  15. M.V. Lebedev, Yu.M. Serov, T.V. Lvova, I.V. Sedova, R. Endo, T. Masuda. Semiconductors, 54, 1843 (2020)
  16. J.M. Moison, M. Van Rompay, M. Bensoussan. Appl. Phys. Lett., 48, 1362 (1986)
  17. G. Chen, S.B. Visbeck, D.C. Law, R.F. Hicks. J. Appl. Phys., 91, 9362 (2002)
  18. Y. Ishikawa, T. Fukui, H. Hasegawa. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1163 (1997)
  19. N. Newman, W.E. Spicer, T. Kendelewicz, I. Lindau. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 931 (1986)
  20. J.R. Waldrop, S.P. Kowalczyk, R.W. Grant. Appl. Phys. Lett., 42, 454 (1983)
  21. М.В. Лебедев. ФТП, 54, 587 (2020)
  22. М.В. Лебедев, Т.В. Львова, А.Л. Шахмин, О.В. Рахимова, П.А. Дементьев, И.В. Седова. ФТП, 53, 908 (2019)
  23. P. Lautenschlager, M. Garriga, M. Cardona. Phys. Rev. B, 36, 4813 (1987)
  24. L. Pavesi, F. Piazza, A. Rudra, J.F. Carlin, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 44, 9052 (1991)
  25. R.M. Sieg, S.A. Ringel. J. Appl. Phys., 80, 448 (1996)
  26. L. Artus, R. Cusco, J. Ibanez, N. Blanco, G. Gonzalez-Di az. Phys. Rev. B, 60, 5456 (1999)
  27. B.H. Bairamov, I.P. Ipatova, V.A. Milorava, V.V. Toporov, K. Naukkarinen, T. Tuomi, G. Irmer, J. Monecke. Phys. Rev. B, 38, 5722 (1988)
  28. B.B. Boudart, B. Prevot, C. Schwab. Appl. Surf. Sci., 50, 295 (1991)
  29. A. Pinczuk, A.A. Ballman, R.E. Nahory, M.A. Pollack, J.M. Worlock. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1168 (1979)
  30. L.A. Farrow, C.J. Sandroff, M.C. Tamargo. Appl. Phys. Lett., 51, 1931 (1987)
  31. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  32. V. N. Bessolov, M.V. Lebedev, N.M. Binh, M. Friedrich, D.R.T. Zahn. Semicond. Sci. Technol., 13, 611 (1998)
  33. E.V. Ivanova, P.A. Dementev, T.V. Lvova, M.V. Lebedev. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012061 (2020).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme