"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi2, выращенных на CaF2/Si-подложках
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-52-00016 Бел_а
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф20Р-092
Зиновьев В.А.1, Кацюба А.В.1, Володин В.А.1,2, Зиновьева А.Ф.1,2, Черкова С.Г.1, Смагина Ж.В.1, Двуреченский А.В.1,2, Крупин А.Ю.3, Бородавченко О.М.4, Живулько В.Д.4, Мудрый А.В.4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Email: zinoviev@isp.nsc.ru, kacyuba@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru, aigul@isp.nsc.ru, cherkova@isp.nsc.ru, smagina@isp.nsc.ru, dvurech@isp.nsc.ru, mirazh@eml.ru, mudryi@physics.by, vad.zhiv@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.

Проведено исследование особенностей роста, а также структурных и оптических свойств слоев CaSi2, сформированных в процессе последовательного осаждения Si и CaF2 на подложку Si(111) при одновременном облучении пучком быстрых электронов. Спектры комбинационного рассеяния света, снятые в областях воздействия электронным пучком, продемонстрировали пики, характерные для кристаллических слоев CaSi2. Исследование морфологии поверхности сформированных структур показало, что в выбранных условиях синтез слоев CaSi2 при электронном облучении происходит по двумерно-слоевому механизму. Спектры фотолюминесценции, измеренные в областях, модифицированных электронным пучком, имеют существенные отличия от спектров, снятых вне области электронного облучения. Ключевые слова: силициды кальция, фторид кальция, молекулярно-лучевая эпитаксия, электронное облучение, атомная структура, фотолюминесценция.
  1. E. Noguchi, K. Sugawara, R. Yaokawa, T. Hitosugi, H. Nakano, T. Takahashi. Adv. Mater., 27, 856 (2015)
  2. J.F. Morar, M. Wittmer. Phys. Rev. B, 37, 2618 (1988)
  3. G. Vogg, M.S. Brandt, M. Stutzmann, M. Albrecht. J. Cryst. Growth, 203, 570 (1999)
  4. N.G. Galkin, S.A. Dotsenko, K.N. Galkin, A.M. Maslov, D.B. Migas, V.O. Bogorodz, A.B. Filonov, V.E. Borisenko, I. Cora, B. Pcecz, D.L. Goroshko, A.V. Tupkalo, E.A. Chusovitin, E.Y. Subbotin. J. Alloys Compd., 770, 710 (2019)
  5. A.V. Kacyuba, A.V. Dvurechenskii, G.N. Kamaev, V.A. Volodin, A.Y. Krupin. Mater. Lett., 268, 127554 (2020)
  6. S.M. Castillo, Z. Tang, A.P. Litvinchuk, A.M. Guloy. Inorg. Chem., 55, 10203 (2016)
  7. A.V. Kacyuba, A.V. Dvurechenskii, G.N. Kamaev, V.A. Volodin, A.Y. Krupin. J. Cryst. Growth, 562, 126080 (2021)
  8. N.G. Galkin, D.A. Bezbabnyi, K.N. Galkin, S.A. Dotsenko, E. Zielony, R. Kudrawiec, J. Misiewicz. Phys. Status Solidi C, 10, 1819 (2013)
  9. B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan. Nanoscale Res. Lett., 12, 358 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.