Вышедшие номера
Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Дроздов М.Н.1, Новиков А.В.1,2, Юрасов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Для напряженных SiGe-структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, экспериментально исследовано влияние на сегрегацию сурьмы температуры роста, компонентного состава и упругих напряжений отдельных слоев. Установлено, что условия роста и параметры структуры оказывают взаимосвязанное воздействие на сегрегацию Sb: степень влияния состава и упругих напряжений SiGe-слоев на сегрегацию Sb зависит от температуры роста. Показано, что использование ранее предложенного авторами метода селективного легирования кремниевых структур с учетом полученных зависимостей сегрегации Sb от условий роста и параметров SiGe-слоев позволяет формировать селективно-легированные сурьмой SiGe-структуры.