Экспериментальные исследования влияния быстрого термического отжига на низкобарьерные диодные структуры, используемые при изготовлении микроволновых детекторов для систем радиовидения, указывают на возрастание эффективной высоты барьера. Предполагая, что эффект связан с диффузионным расплыванием delta-слоя кремния, который определяет токоперенос в модифицированном диоде, построена теоретическая модель и оценен коэффициент диффузии кремния в приповерхностной области арсенида галлия (D~2·10^-14 см²/c при 600^oC). Сравнение с опубликованными данными позволяет предположить, что диффузия в приповерхностном слое существенно облегчена по сравнению с объемной. Высказывается предположение, что причиной ускорения диффузионного процесса могут быть высокое электрическое поле, создаваемое заряженной плоскостью доноров, а также повышенная плотность дефектов вблизи поверхности. Практический результат заключается в появляющейся возможности в определенных пределах повышать эффективную высоту барьера в выращенных структурах, что позволит подогнать параметры низкобарьерных диодов к оптимальному значению для получения чувствительных детекторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.