Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs

DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51139.9664

РФФИ, 19-32-90091

Семакова А.А.

¹, Смирнов А.М.¹, Баженов Н.Л.

², Мынбаев К.Д.

², Пивоварова А.А.

², Черняев А.В.^2,3,4, Кижаев С.С.

³, Стоянов Н.Д.

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия Microsensor Technology, LLC, Saint-Petersburg, Russia

⁴Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия Budyonny Military Academy of the Signal Corps, St. Petersburg, Russia

Budyonny Military Academy of the Signal Corps, St. Petersburg, Russia

Email: antonina.semakova@itmo.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, s.kizhayev@ledmicrosensor.com, ns@ledmicrosensor.com

Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 15 апреля 2021 г.

Принята к печати: 15 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследований оптических и структурных свойств эпитаксиальных слоев InAs, выращенных на подложке n-InAs, и спектральных и электрических свойств светоизлучающих гетероструктур с активным слоем из InAs и различным дизайном и химическим составом барьерных слоев. Исследования свойств гетероструктур проведены в диапазоне 4.2-300 K. Показано влияние степени легирования подложки и свойств интерфейсов в гетероструктурах на вид их спектров излучения и мощностные характеристики. Исследованы механизмы протекания тока через гетероструктуры, и показано преобладание диффузионной составляющей тока при температурах выше 200 K и присутствие туннельной составляющей при более низких температурах. Ключевые слова: InAs, гетероструктуры, люминесценция, рекомбинация.

D. Jung, S. Bank, M.L. Lee, D. Wasserman. J. Opt., 19, 123001 (2017)
C.L. Tan, H. Mohseni. Nanophotonics, 7, 169 (2018)
С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный. ФТП, 53, 147 (2019)
М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 53, 291 (2019)
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Н.М. Стусь. ФТП, 23, 592 (1989)
B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remenyi, N.M. Stus', A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, V.G. Polovinkin. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 891, 9 (2006)
S. Adachi. J. Appl. Phys., 61, 4869 (1987)
V.A. Markov, A.V. Semencha, M.V. Kurushkin, D.V. Kurushkin, V.A. Klinkov, A.A. Petukhov. Infr. Phys. Technol., 78, 167 (2016)
A. Green, D. Gevaux, C. Roberts, C. Philips. Physica E, 20, 531 (2004)
Ю.М. Задиранов, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Письма ЖТФ, 34 (10), 1 (2008)
К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.А. Семакова, М.П. Михайлова, Н.Д. Стоянов, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, А.П. Астахова, А.В. Черняев, H. Lipsanen, В.Е. Бугров. ФТП, 51, 247 (2017)
А.А. Семакова, С.Н. Липницкая, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, С.С. Кижаев, А.В. Черняев, Н.Д. Стоянов, H. Lipsanen. Письма ЖТФ, 46 (3), 51 (2020)
M. Sopanen, T. Koljonen, H. Lipsanen, T. Tuomi. J. Cryst. Growth, 145, 492 (1994)
A.A. Semakova, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev. J. Phys. Conf. Ser., 1482, 012023 (2020)
Н.П. Есина, Н.В. Зотова. ФТП, 14, 316 (1980)
Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
Е.А. Гребенщикова, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 71 (9), 58 (2001)
B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2, 927 (2005)
K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, A.A. Semakova, A.V. Chernyaev, S.S. Kizhaev, N.D. Stoyanov, V.E. Bougrov, H. Lipsanen, Kh.M. Salikhov. Infr. Phys. Technol., 85, 246 (2017)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы, пер. с англ. под ред. Ю.В. Гуляева (М., Сов. радио, 1979)
A. Krier, Y. Mao. Infr. Phys. Technol., 38, 397 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель