"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние динамики носителей заряда и температуры на двухуровневую генерацию в полупроводниковых лазерах на квантовых точках
Коренев В.В.1,2, Савельев А.В.1,2, Жуков А.Е.1,2,3, Омельченко А.В.1,2, Максимов М.В.1,2,3
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

В аналитическом виде показано, что совокупная динамика носителей заряда в квантовых точках и в материале матрицы оказывает существенное влияние на явление двухуровневой генерации в лазерах на квантовых точках. В частности, учет десинхронизации в захвате электронов и дырок позволяет описать гашение генерации через основной оптический переход квантовых точек при больших мощностях накачки как качественно, так и количественно. В то же время анализ динамики зарядов внутри одиночной квантовой точки позволяет описать температурные зависимости мощности излучения через основной и возбужденный оптические переходы.
  1. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш. Квант. электрон., 38 (5), 409 (2008)
  2. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 41 (6), 625 (2007)
  3. C.F. Lam. Passive Optical Networks: Principles and Practice (SanDiego, Elsevier, 2007) p. 158
  4. H.S. Djie, B.S. Ooi, X. Fang, Y. Wu, J.M. Fastenau, W.K. Liu, M. Hopkinson. Optics Lett., 32, 44 (2007)
  5. N.A. Naderi, F. Grillot, K. Yang, J.B. Wright, A. Gin, L.F. Lester. Opt. Express, 18, 27 028 (2010)
  6. Joseph M. Schmitt. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5, 1205 (1999)
  7. M. Grundmann, A. Weber, K. Goede, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 77, 4 (2000)
  8. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 18, 774 (2003)
  9. A. Markus, J.X. Chen, C. Paranthoen, A. Fiore, C. Platz, O. Gauthier-Lafaye. Appl. Phys. Lett., 82, 1818 (2003)
  10. A. Markus, A. Fiore. Phys. Status Solidi, 201, 338 (2004)
  11. A. Fiore, A. Markus, M. Rossetti. Proc. SPIE, 5840, 464 (2005)
  12. L.W. Shi, Y.H. Chen, B. Xu, Z.C. Wang, Z.G. Wang. Physica E, 39, 203 (2007)
  13. L. Jiang, L.V. Asryan. IEEE Phot. Tech. Lett., 18, 2611 (2006)
  14. J. Lee, D. Lee. J. Korean Phys. Soc., 58, 239 (2011)
  15. Y.J. Kim, Y.K. Joshi, A.G. Fedorov. J. Appl. Phys., 107, 073 104 (2010)
  16. H.M. Ji, T. Yang, Y.L. Cao, P.F. Xu, Y.X. Gu, Z.G. Wang. Jpn. J. Appl. Phys., 49, 072 103 (2010)
  17. M. Sugawara, N. Hatori, H. Ebe, M. Ishida, Y. Arakawa, K. Akiyama, T. Otsubo, Y. Nakata. J. Appl. Phys., 97, 043 523 (2005)
  18. А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лифшиц, А.В. Савельев, Ф.И. Зубов, В.В. Клименко. ФТП, 46 (2), 241 (2012)
  19. E.A. Viktorov, P. Mandel, Y. Tanguy, J. Houlihan, G. Huyet. Appl. Phys. Lett., 87, 053 113 (2005)
  20. C. Platz, C. Paranthoen, P. Caroff, N. Bertru, C. Labbe, J. Even, O. Dehaese, H. Folliot, A. Le Corre, S. Loualiche, G. Moreau, J.C. Simone, A. Ramdane. Semicond. Sci. Technol., 20, 459 (2005)
  21. K. Veselinov, F. Grillot, C. Cornet, J. Even, A. Bekiarski, M. Gioannini, S. Loualiche. IEEE J. Quant. Eectron., 43, 810 (2007)
  22. M. Gioannini. J. Appl. Phys., 111, 043 108 (2012)
  23. M. Sugawara, K. Mukai, H. Shoji. Appl. Phys. Lett., 71, 2791 (1997)
  24. V.V. Korenev, A.V. Savelyev, A.E. Zhukov, A.V. Omelchenko, M.V. Maximov. Appl. Phys. Lett., 102, 112 101 (2013)
  25. L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83, 5368 (2003)
  26. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Laser Phys., 13, 319 (2003)
  27. A.V. Savelyev, A.E. Zhukov. Abstract Book Int. Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW) (St. Petersburg, Russia, and Wurzburg, Germany, 2011) v. 1, p. 43
  28. V.V. Korenev, A.V. Savelyev, A.E. Zhukov, A.V. Omelchenko, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov. In: Abstract Book 15th Int. Conf. Laser Optics 2012" (St. Petersburg, 2012), ed. by E.A. Viktorov (Publishing House of Saint Petersburg University of ITMO, 2012) p.59
  29. V.V. Korenev, A.V. Savelyev, A.E. Zhukov, A.V. Omelchenko, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov. Proc. SPIE, 8432, 84321L (2012)
  30. K. Ludge, E. Scholl. IEEE J. Quant. Electron., 45, 1396 (2009)
  31. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  32. P. Miska, C. Paranthoen, J. Even, O. Dehaese, H. Folliot, N. Bertru, S. Loualiche, M. Senes, X. Marie. Semicond. Sci. Technol., 17, L63 (2002)
  33. B. Ohnesorge, M. Albrecht, J. Oshinowo, A. Forchel, Y. Arakawa. Phys. Rev. B, 54, 11 532 (1996)
  34. R.P. Prasankumar, R.S. Attaluri, R.D. Averitt, J. Urayama, N. Weisse-Bernstein, P. Rotella, A.D. Stintz, S. Krishna, A.J. Taylor. Opt. Express, 16, 1165 (2008)
  35. G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Semiconductor Lasers (N. Y., Van Nostrand Reinhold, 1993) p. 58
  36. L. Hoglund, K.F. Karlsson, P.O. Holtz, H. Pettersson, M.E. Pistol. Phys. Rev. B, 82, 035 314 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.