Вышедшие номера
Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC
Нагалюк С.С.1, Мохов Е.Н.1, Казарова О.П.1, Бер Б.Я.1, Анисимов А.А.1, Бреев И.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: snagalyuk@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 25 февраля 2021 г.
Принята к печати: 25 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.

Исследованы причины, приводящие к появлению зеленой окраски кристаллов AlN, выращиваемых методом сублимации на затравках SiC. Методом вторичной ионной масс-спектроскопии показано, что цвет кристаллов слабо зависит от содержания кремния и углерода, а зеленая или темная окраска возникает только при повышенном содержании углерода по сравнению с кремнием. Методом комбинационного рассеяния света установлено присутствие в этих кристаллах отдельной фазы аморфного углерода. Выделение фазы углерода в процессе роста кристаллов затрудняет получение качественных кристаллов AlN, а также твердых растворов AlN-SiC. Анализируется влияние условий роста на оптические свойства кристаллов AlN. Ключевые слова: кристалл AlN, затравка SiC, зеленая или темная окраска, аморфный углерод.
  1. Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Naoharu Sugiyama, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano. Appl. Phys. Express, 12, 124003 (2019). DOI: 10.7567/1882-0786/ab50e0
  2. C. Guguschev, A. Dittmar, E. Moukhina, C. Hartmann, S. Golka, J. Wollweber, M. Bickermann, R. Fornari. J. Cryst. Growth, 360, 185 (2012)
  3. R.R. Sumathi, P. Gille. Cryst. Res. Technol., 47 (3), 237 (2012)
  4. M. Bickermann, O. Filip, B.M. Epelbaum, P. Heimann, M. Feneberg, B. Neuschl, K. Thonke, E. Wedler, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 339, 13 (2012)
  5. O. Filip, M. Bickermann, B.M. Epelbaum, P. Heimann, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 312, 2822 (2010)
  6. Seung-Min Kanga, Chel-Jong Choib, Jong-Won Yoon. J. Ceramic Proc. Res., 10 (5), 689 (2009)
  7. C.M. Balkas, Z. Sitar, T. Zheleva, L. Bergman, R. Nemanich, R.F. Davis. J. Cryst. Growth, 179, 363 (1997)
  8. O.V. Avdeev, T.Yu. Chemekova, H. Helava, M.G. Ramm, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, A.S. Segal. In: Comprehensive Semiconductor Science and Technology (2011) p. 282
  9. Е.Н. Мохов, M.К. Рабчинский, С.С. Нагалюк, М.Р. Гафуров, О.П. Казарова. ФТП, 54 (3), 224 (2020)
  10. B.M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, P. Heimann, O. Filip, A. Winnacker. J. Cryst. Growth,  305 (2), 317 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.