Вышедшие номера
Анизотропия электронного g-фактора в квантовых ямах на основе кубических полупроводников
Алексеев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Для асимметричных квантовых ям на основе полупроводников типа GaAs предложен новый механизм анизотропии спинового расщепления электронных уровней размерного квантования относительно поворотов магнитного поля в плоскости ямы. Показано, что линейная по магнитному полю анизотропия зеемановского расщепления в асимметричной квантовой яме появляется за счет интерфейсных спин-орбитальных слагаемых в гамильтониане электрона. Для случая симметричной квантовой ямы показано, что анизотропия зеемановского расщепления кубична по величине магнитного поля, зависит как гармоника 4-го порядка от направления магнитного поля и обусловлена спин-орбитальным членом 4-го порядка по кинематическoму импульсу в гамильтониане объемного полупроводника.