Проведены исследования эпитаксиального роста слоев AlN и GaN при использовании метода газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов <100 нм (подложка NP-Si(100)). Показано, что в процессе образования слоя полуполярного AlN на начальной стадии эпитаксии при коалесценции формируется гофрированная поверхность из полуполярных плоскостей AlN(10() 1 1) с противонаправленными осями симметрии c. Затем в процессе роста слоя GaN осуществляется переход из симметричного состояния с двумя полуполярными плоскостями AlN в асимметричное состояние с единой ориентацией оси c слоя полуполярного GaN(10() 1 1), причем направление c в растущем полуполярном слое совпадает с направлением потока ионов N₂⁺ на поверхность кремния при образовании наномаски. Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, переход от двух полуполярных плоскостей к единой ориентации слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.