Исследованы особенности излучательных характеристик GaAs-гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAs_-xSb_x-In_yGa_1-yAs), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. С учетом анализа литературных данных для процесса выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии экспериментально были определены температурный диапазон (560-580^oC), соотношение потоков источников элементов V и III групп (≤sssim1) и порядок выращивания слоев для создания активной области лазерной гетероструктуры GaAs/InGaP, представляющей собой двухслойную квантовую яму GaAs_0.75Sb_0.25-In_0.2Ga_0.8As. Для этой структуры наблюдалось электролюминесцентное излучение на длине волны 1075 нм, связанное с непрямыми переходами между валентной зоной слоя GaAs_0.75Sb_0.25 и зоной проводимости слоя In_0.2Ga_0.8As. Увеличение тока непрерывной накачки приводило к падению интенсивности данного излучения и возникновению устойчивой генерации лазерного излучения на прямых в координатном пространстве переходах на длине волны 1022 нм при плотности порогового тока 1.4 кА/см² при комнатной температуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.