Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb-InGaAs)/GaAs
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 10 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.
Исследованы особенности излучательных характеристик GaAs-гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAs-xSbx-InyGa1-yAs), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. С учетом анализа литературных данных для процесса выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии экспериментально были определены температурный диапазон (560-580oC), соотношение потоков источников элементов V и III групп (≤sssim1) и порядок выращивания слоев для создания активной области лазерной гетероструктуры GaAs/InGaP, представляющей собой двухслойную квантовую яму GaAs0.75Sb0.25-In0.2Ga0.8As. Для этой структуры наблюдалось электролюминесцентное излучение на длине волны 1075 нм, связанное с непрямыми переходами между валентной зоной слоя GaAs0.75Sb0.25 и зоной проводимости слоя In0.2Ga0.8As. Увеличение тока непрерывной накачки приводило к падению интенсивности данного излучения и возникновению устойчивой генерации лазерного излучения на прямых в координатном пространстве переходах на длине волны 1022 нм при плотности порогового тока 1.4 кА/см2 при комнатной температуре.
- J.R. Pesetto, G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 62, 1 (1983)
- M. Peter, K. Winkler, M. Maier, N. Herres, J. Wagner, D. Fekete, K.H. Bachem, D. Richards. Appl. Phys. Lett., 67 (18), 2639 (1995)
- Z.C. Niu, X.H. Xu, H.Q. Ni, Y.Q. Xu, Z.H. He, Q. Han, R.H. Wu. J. Cryst. Growth, 278, 558 (2005)
- J.F. Klem, O. Blum, S.R. Kurtz, I.J. Fritz, K.D. Choquette. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (3), 1605 (2000)
- M. Pristovsek, M. Zorn, U. Zeimer, M. Weyers. J. Cryst. Growth, 276, 347 (2005)
- C.T. Wan, Y.K. Su, R.W. Chuang, C.Y. Huang, Y.S. Wang, W.C. Chen, H.C. Yu. J. Cryst. Growth, 310, 4854 (2008)
- Y.K. Su, C.T. Wan, R.W. Chuang, C.Y. Huang, W.C. Chen, Y.S. Wang, H.C. Yu. J. Cryst. Growth, 310, 4850 (2008)
- M.J. Cherng, G.B. Stringfellow, R.M. Cohen. Appl. Phys. Lett., 44, 677 (1984)
- С.В. Морозов, Д.И. Крыжков, В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.Г. Садофьев. Тр. XVI Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2012) т. 1, с. 316
- R. Kudrawiec, G. Sek, K. Ryczko, J. Misiewicz, J.C. Harmand. Appl. Phys. Lett., 84 (18), 3453 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
