"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Стафеев Виталий Иванович (01.01.1929-16.02.2013)
Выставление онлайн: 20 июня 2013 г.

[!t] Ушел из жизни известный учёный, профессор, доктор физико-математических наук, заслуженный деятель науки и техники РФ, лауреат трёх Государственных премий. В 1952 г. Виталий Иванович окончил физико-математический факультет Казахского государственного университета. Получив направление в Физико-технический институт АН СССР (г. Ленинград), он оказался в числе тех, кто закладывал основы физики и техники полупроводниковых приборов. Здесь он принял участие в разработке и изготовлении первых сильноточных германиевых выпрямителей. Эти работы, за участие в которых он получил свою первую правительственную награду, заложили основы силовой полупроводниковой электроники в СССР. С первых шагов в науке его характеризовало глубокое понимание физической сущности электронных явлений в полупроводниковых приборах, что привело его к разработке новых принципов их действия, созданию функциональных логических схем и устройств обработки и воспроизведения изображений. Многогранность его натуры выразилась в широком охвате различных сторон научно-педагогической и научно-производственной деятельности. В 1964-1969 г.г. Виктор Иванович Стафеев --- директор НИИ Физических проблем им. Ф. В. Лукина (Научный центр микроэлектроники, г. Зеленоград), с 1969 г. последовательно --- заведующий отделом, отделением и главный конструктор направления матричных фотоприемников в НИИ Прикладной физики (ныне ФГУП НПО "Орион"), с 1965 г. --- профессор Московского физико-технического института (МФТИ). Он был удостоен звания Почетный работник промышленности вооружений. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие в нашем отечестве работ по узкощелевым полупроводникам и фотоприемникам инфракрасного диапазона. Под его руководством в этом направлении в течение ряда лет проводились научные симпозиумы и семинары в разных регионах страны, что обеспечило формирование новых научных коллективов в России и странах ближнего зарубежья. Среди его учеников 25 докторов наук. Он автор или соавтор 12 монографий, более 600 научных статей и изобретений. Многие из результатов его исследований вошли в отечественные и зарубежные монографии и учебники. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие в СССР микроэлектроники --- он являлся председателем Межведомственного координационного совета по микроэлектронике, организатором и заведующим кафедрой Микроэлектроники в МФТИ, председателем секции "Микроэлектроника" Совета по физике полупроводников при Президиуме Академии наук СССР. Научно-производственная деятельность Виталия Ивановича отмечена двумя Государственными премиями СССР (1982 г. и 1988 г.) и Государственной премии РФ (2000 г.). Виталий Иванович беззаветно был предан избранной профессии. Он отличался высокой скромностью и порядочностью. Был коммуникабельным, добрым и отзывчивым человеком. Светлая память о Виталии Ивановиче навсегда сохранится в наших душах и сердцах! Глубоко скорбим по поводу его безвременной кончины. Выражаем глубокие соболезнования семье, родным и близким покойного. Коллектив ФГУП "НИИФП им. Ф. В. Лукина", коллеги и друзья из ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Редакционная коллегия журнала Физика и техника полупроводников"
  • Y.F. Wu, B.P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S.P. Denbaars, U.K. Mishr. IEEE Electron. Dev. Lett., 586 (2001)
  • C. Lee, H. Wang, J. Yang, L. Witkowski, M. Muir, M.A. Khan, P. Saunier. Electron. Lett., 924 (2002)
  • E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N.X. Nguyen, C.N. Nguyen. Electron. Lett., 1022 (1999)
  • R. Veturi, N.Q. Zhang, S. Keller, U.K. Mishra. IEEE Trans. Electron. Dev., 560 (2001)
  • B.M. Green, K.K. Chu, E.M. Chumbes, J.A. Smart, J.R. Shealy, L.F. Eastman. IEEE Electron. Dev. Lett., 268 (2000)
  • Y. Liu, J.A. Bardwell, S.P. McAlister, H. Tang, J.B. Webb, T.W. MacElwee. Phys. Status Solidi A, 188, 233 (2001)
  • C. Lee, L. Witkowski, M. Muir, H.Q. Tsering, P. Saunier, H. Wang, J. Yang, M.A. Khan. In: Proc. Lester Eastman Conf. High Performance Devices (Newark, DE, 2002)
  • H. Kim, V. Tilak, B.M. Green, J.A. Smart, W.J. Schaff, J.R. Shealy, L.F. Eastman. Phys. Status Solidi A, 188, 203 (2001)
  • M. Gassoumi, B. Grimbert, C. Gaquiere, H. Maaref. Semiconductors, 46, 382 (2012)
  • J.C. Zolper. Tech. Dig. IEDM 16.1.1, 389 (1999)
  • M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Semicond. Sci. Techn., 6, 973 (1991)
  • J. Criado, A.I. Gomez, E. Calleja, E. Munoz. Appl. Phys. Lett., 52, 660 (1988)
  • A. Hierro, A.R. Arehart, B. Heying. Phys. Status Solidi B, 228, 309 (2001)
  • L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht. Phys. Rev. Lett., 93, 196 401 (2004)
  • M. Gassoumi. J. Optoelectron. Adv. Mater., 11, 1713 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.