"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стафеев Виталий Иванович (01.01.1929-16.02.2013)
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

[!t] Ушел из жизни известный учёный, профессор, доктор физико-математических наук, заслуженный деятель науки и техники РФ, лауреат трёх Государственных премий. В 1952 г. Виталий Иванович окончил физико-математический факультет Казахского государственного университета. Получив направление в Физико-технический институт АН СССР (г. Ленинград), он оказался в числе тех, кто закладывал основы физики и техники полупроводниковых приборов. Здесь он принял участие в разработке и изготовлении первых сильноточных германиевых выпрямителей. Эти работы, за участие в которых он получил свою первую правительственную награду, заложили основы силовой полупроводниковой электроники в СССР. С первых шагов в науке его характеризовало глубокое понимание физической сущности электронных явлений в полупроводниковых приборах, что привело его к разработке новых принципов их действия, созданию функциональных логических схем и устройств обработки и воспроизведения изображений. Многогранность его натуры выразилась в широком охвате различных сторон научно-педагогической и научно-производственной деятельности. В 1964-1969 г.г. Виктор Иванович Стафеев --- директор НИИ Физических проблем им. Ф. В. Лукина (Научный центр микроэлектроники, г. Зеленоград), с 1969 г. последовательно --- заведующий отделом, отделением и главный конструктор направления матричных фотоприемников в НИИ Прикладной физики (ныне ФГУП НПО "Орион"), с 1965 г. --- профессор Московского физико-технического института (МФТИ). Он был удостоен звания Почетный работник промышленности вооружений. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие в нашем отечестве работ по узкощелевым полупроводникам и фотоприемникам инфракрасного диапазона. Под его руководством в этом направлении в течение ряда лет проводились научные симпозиумы и семинары в разных регионах страны, что обеспечило формирование новых научных коллективов в России и странах ближнего зарубежья. Среди его учеников 25 докторов наук. Он автор или соавтор 12 монографий, более 600 научных статей и изобретений. Многие из результатов его исследований вошли в отечественные и зарубежные монографии и учебники. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие в СССР микроэлектроники --- он являлся председателем Межведомственного координационного совета по микроэлектронике, организатором и заведующим кафедрой Микроэлектроники в МФТИ, председателем секции "Микроэлектроника" Совета по физике полупроводников при Президиуме Академии наук СССР. Научно-производственная деятельность Виталия Ивановича отмечена двумя Государственными премиями СССР (1982 г. и 1988 г.) и Государственной премии РФ (2000 г.). Виталий Иванович беззаветно был предан избранной профессии. Он отличался высокой скромностью и порядочностью. Был коммуникабельным, добрым и отзывчивым человеком. Светлая память о Виталии Ивановиче навсегда сохранится в наших душах и сердцах! Глубоко скорбим по поводу его безвременной кончины. Выражаем глубокие соболезнования семье, родным и близким покойного. Коллектив ФГУП "НИИФП им. Ф. В. Лукина", коллеги и друзья из ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Редакционная коллегия журнала Физика и техника полупроводников"
  1. Y.F. Wu, B.P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S.P. Denbaars, U.K. Mishr. IEEE Electron. Dev. Lett., 586 (2001)
  2. C. Lee, H. Wang, J. Yang, L. Witkowski, M. Muir, M.A. Khan, P. Saunier. Electron. Lett., 924 (2002)
  3. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N.X. Nguyen, C.N. Nguyen. Electron. Lett., 1022 (1999)
  4. R. Veturi, N.Q. Zhang, S. Keller, U.K. Mishra. IEEE Trans. Electron. Dev., 560 (2001)
  5. B.M. Green, K.K. Chu, E.M. Chumbes, J.A. Smart, J.R. Shealy, L.F. Eastman. IEEE Electron. Dev. Lett., 268 (2000)
  6. Y. Liu, J.A. Bardwell, S.P. McAlister, H. Tang, J.B. Webb, T.W. MacElwee. Phys. Status Solidi A, 188, 233 (2001)
  7. C. Lee, L. Witkowski, M. Muir, H.Q. Tsering, P. Saunier, H. Wang, J. Yang, M.A. Khan. In: Proc. Lester Eastman Conf. High Performance Devices (Newark, DE, 2002)
  8. H. Kim, V. Tilak, B.M. Green, J.A. Smart, W.J. Schaff, J.R. Shealy, L.F. Eastman. Phys. Status Solidi A, 188, 203 (2001)
  9. M. Gassoumi, B. Grimbert, C. Gaquiere, H. Maaref. Semiconductors, 46, 382 (2012)
  10. J.C. Zolper. Tech. Dig. IEDM 16.1.1, 389 (1999)
  11. M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Semicond. Sci. Techn., 6, 973 (1991)
  12. J. Criado, A.I. Gomez, E. Calleja, E. Munoz. Appl. Phys. Lett., 52, 660 (1988)
  13. A. Hierro, A.R. Arehart, B. Heying. Phys. Status Solidi B, 228, 309 (2001)
  14. L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht. Phys. Rev. Lett., 93, 196 401 (2004)
  15. M. Gassoumi. J. Optoelectron. Adv. Mater., 11, 1713 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.