Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 12 » Статья стр. 1309
<<<>>>
Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе "пленка--подложка"
DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50230.9506
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120209
Маскаева Л.Н.1, Поздин А.В.1, Марков В.Ф.1,2, Воронин В.И.3
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: mln@ural.ru
Поступила в редакцию: 17 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 24 августа 2020 г.
Принята к печати: 24 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.
PDF версия
Исследована роль подложки различной природы на фазовый состав, морфологию и механические напряжения на интерфейсе "пленка-подложка" при химическом осаждении слоев CdPbS на кремнии (111), ситалле, плавленом кварце, ITO-покрытии, предметном и пористом стеклах. Высказано предположение, что выявленные особенности связаны с различными условиями зарождения и роста пленок. Установлено, что на плавленом кварце формируется однофазная пленка твердого раствора CdxPb1-xS в отличие от остальных субстратов, на которых осаждаются слои, содержащие дополнительно от 2 до 8 мол% рентгеноаморфной фазы CdS. Показано, что увеличение величины механических напряжений сжатия на интерфейсе "пленка-подложка" с -9.32 до -121.79 кН/м2 в ряду пористое стекло-предметное стекло-ситалл-кремний (111)-плавленый кварц асимбатно значениям температурных коэффициентов расширения этих подложечных материалов. Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, твердые растворы CdxPb1-xS, механические напряжения сжатия.
  1. P.L. Nichols, Z. Liu, L. Yin, S. Turkdogan, F. Fan, C.Z. Ning. Nano Lett., 15, 909 (2015)
  2. S.M. Ahmada, S.J. Kasima, L.A. Latif. Jordan J. Physics, 9, 113 (2016)
  3. И.В. Зарубин, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Н.В. Зарубина, М.В. Кузнецов. Журн. аналит. химии, 72, 266 (2017)
  4. А.Е. Бездетнова, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Ю.Г. Шашмурин, А.С. Франц. Журн. аналит. химии, 74, 1256 (2019)
  5. J. Hernadez-Borja, Y.V. Vorobiev, R. Ramirez-Bon. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 95, 1882 (2011)
  6. A.S. Obaid, M.A. Mahdi, Z. Hasson, M. Bououdina. Superlatt. Microstr., 52, 816 (2012)
  7. M.A. Barote, S.S. Kamble, A.A. Yadav, R.V. Suryavanshi, L.P. Deshmukh, E.U. Masumdar. Mater. Lett., 78, 113 (2012)
  8. G. Hodes. Phys. Chem. Chem. Phys., 9, 2181 (2007)
  9. G.-L. Tan, L. Liu., W. Wu. AIP Adv., 4, 067107 (2014)
  10. K.E. Suryavanshi, R.B. Dhake, A.M. Patil. Int. J. Sci. Res., 2, 858 (2014)
  11. J.C. Osuwa, C.I. Oriaku, F.I. Ezema. Chalcogenide Lett., 6, 385 (2009)
  12. E. Pentia, V. Draghici, G. Sarau, B. Mereu, L. Pintilie, F. Sava, M. Popescu. J. Electrochem. Soc., 151, G729 (2004)
  13. Л.Н. Маскаева, А.Д, Кутявина, В.Ф. Марков, И.В. Ваганова, В.И. Воронин. ЖОХ, 88, 319 (2018)
  14. E. Rabinovich, E. Wachtel, G. Hodes. Thin Sol. Films, 517, 737 (2008)
  15. M. Kamruzzman, R. Dutta, J. Podder. ФТП, 46, 979 (2012)
  16. Л.Н. Маскаева, И.В. Ваганова, В.Ф. Марков, В.И. Воронин. ЖПХ, 90, 553 (2017)
  17. I.V. Vaganova, L.N. Maskaeva, V.F. Markov, V.I. Voronin, V.G. Bamburov. Nanosystems: physics, chemistry, mathematics, 9, 811 (2018)
  18. O.P. Moreno, M.Ch. Portillo, M.M. Flores, J.M. Juarez, G.A. Avila, R.L. Morales, O.Z. Angel. J. Mater. Sci. Eng., A1, 759 (2011)
  19. S.R. Deoa, A.K. Singhb, L. Deshmukha, L.J. Paliwalc, R.S. Singhda. Optik, 126, 2311 (2015)
  20. В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, П.Н. Иванов. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент (Екатеринбург, УрО РАН, 2006)
  21. В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Ю.С. Поликарпова. Бутлеровские сообщения, 8, 54 (2006)
  22. И.В. Ваганова, Л.Н. Маскаева, В.И. Воронин, В.Ф. Марков, В.Г. Бамбуров. ДАН, 484, 554 (2019)
  23. А.Р. Шугуров, А.В. Панин. Физическая мезомеханика, 12, 23 (2009)
  24. В.П. Бондаренко, Н.Н. Ворозов, В.В. Дикарева, А.М. Дорофеев, В.И. Левченко, Л.И. Постнова, Г.Н. Троянова. Письма ЖТФ, 20, 51 (1994)
  25. В.И. Левченко, Л.И. Постнова, Е.Л. Труханова, В.П. Бондаренко. Кр. сообщ. Докл. БГУИР, 6, 100 (2015)
  26. C.C. Chang, C. H. Lee. J. Mater. Sci., 36, 3801 (2001)
  27. Л.Н. Маскаева Л.Н., В.Ф. Марков, Е.А. Федорова, М.В. Кузнецов. ЖПХ, 91, 1346 (2018)
  28. H.M. Rietveld. J. Appl. Crystallogr., 2, 65 (1969)
  29. D.L. Bush, J.E. Post. Rev. Mineral., 20, 369 (1990)
  30. J. Rodriges-Carvajal. Physica B, 192, 55 (1990)
  31. G.K. Williamson, W.H. Hall. Acta Metallurgica, 1, 22 (1953)
  32. Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2, 13 (2002)
  33. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, В.Н. Бессолов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
  34. П.Н. Крылов, Р.М. Закирова, И.В. Федотова, Ф.З. Гильмутдинов. ФТП, 47, 859 (2013)
  35. В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева. Изв. АН. Сер. хим., 7, 1523 (2014)
  36. Л.Н. Маскаева, Е.В. Мостовщикова, В.И. Воронин, Е.Э. Лекомцева, П.С. Богатова, В.Ф. Марков. ФТП, 54, 1041 (2020)
  37. S. Ruben. Handbook of elements (Open Court Publishing Company, Peru, 1999)
  38. P.M. Bethke, P.B. Barton. J. Amer. Miner., 56, 2034 (1971)
  39. R.A. Robie, P.M. Bethke, K.M. Beardsley. U.S. GeoI. Surv. Bull., 1248, 87 (1967)
  40. R.A. Robie, P.M. Bethke, M.S. Toulmin, J.L. Edwards. Geol. Soc. Amer. Mem., 97, 27 (1966)
  41. В.Н. Томашик, В.Н. Грыцив. Диаграммы состояния систем на основе соединений АIIBVI. Справочник (Киев, Наук. думка, 1982)
  42. T. Ungar, I. Dragomir, A. Revesz, A. Borbely. J. Appl. Cryst., 32, 992 (1999)
  43. T. Ungar, A. Borbely. Appl. Phys. Lett., 69, 3173 (1996)
  44. M.J. Weber. Handbook Laser Science and Technology ( CRC Press LLC, 2003) p. 499
  45. N. Nadaud, M. Nanot, Ph. Boch. J. Am. Ceram. Soc., 77, 843 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme