Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 7 » Статья стр. 865
>>>
Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe
Сошников И.П.1,2,3, Петров В.А.1, Проскуряков Ю.Ю.4, Кудряшов Д.А.1,2, Нащекин А.В.2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Treharne R.4, Durose K.4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4University of Liverpool, L69 3BX Liverpool, United Kingdom
Поступила в редакцию: 20 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.
PDF версия
Проведено исследование процессов бескаталитического синтеза структур с CdTe нитевидными нанокристаллами с использованием метода магнетронного осаждения. Показано, что при осаждении магнетронным распылением CdTe на подложки с пористым слоем SiO2 могут формироваться CdTe нитевидные нанокристаллы. Сделаны оценки пористости слоев SiO2 с толщиной от 2 до 15 нм, полученных осаждением магнетронным распылением.
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
  2. CdTe and Related Compounds; Physics, Defects, Hetero- and Nano-structures, Crystal Growth, Surfaces and Applications, ed. by R. Triboulet, P. Siffert (Elsevier, 2010)
  3. Semiconductor Nanomaterials for Flexible Technologies: From Photovoltaics and Electronics to Sensors and Energy Storage, ed. by Y. Sun, J.A. Rogers (Elsevier, 2010)
  4. C.H. Henry. J. Appl. Phys., 51 (8), 4494 (1980)
  5. L.L. Kazmerski. Efficiencies determined by certified agencies/laboratories National Renewable Energy Laboratory ( NREL) (Golden, CO 6 November 2012)
  6. 17.3 Percent Efficiency Confirmed by NREL (Business Wire, July 26, 2011)
  7. P.J. Pauzauskie, P. Yang. Materials Today, 9 (10), 36 (2006)
  8. J.A. Czaban, D.A. Thompson, R.R. LaPierre. Nano Lett., 9 (1), 148 (2009)
  9. G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, Yu.B. Samsonenko, V.G. Dubrovskii, E.M. Arakcheeva, E.M. Tanklevskaya, P. Werner. Nanoscale Res. Lett., 5, 360 (2009)
  10. B.M. Kayes, H.A. Atwater, N.S. Lewis. J. Appl. Phys., 97 (11), 114 302 (2005)
  11. K.-Q. Peng, S.-T. Lee. Adv. Mater., 23 (2), 198 (2011)
  12. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4 (5), 89 (1964)
  13. Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18 (1), 147 (1973)
  14. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
  15. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71 (20), 205 325 (2005)
  16. И.П. Сошников. Письма ЖТФ, 31, вып. 15, 29 (2005)
  17. S. Neretina, R.A. Hughes, J.F. Britten, N.V. Sochinskii, J.S. Preston, P. Mascher. Nanotechnology, 18 (27), 275 301 (2007)
  18. P. Liu, V. P Singh, C. A Jarro, S. Rajaputra. Nanotechnology, 22 (14), 145 304 (2011)
  19. V. Consonni, G. Rey, J. Bonaime, N. Karst, B. Doisneau, H. Roussel, S. Renet, D. Bellet. Appl. Phys. Lett., 98, 111 906 (2011)
  20. A.A. Al-Ghamdi, M.S. Abd El-sadek, A.T. Nagat, F. El-Tantawy. Sol. St. Commun., 152, 1644 (2012)
  21. R.D. Gould, C.J. Bowler. Thin Sol. Films, 164, 281 (1988)
  22. W. Huber, A. Lopez-Otero. Thin Sol. Films, 58 (1), 21 (1979)
  23. J.D. Major, K. Durose. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 95 (12), 3165 (2011)
  24. T.L. Chu, S.S. Chu. Sol.-St. Electron., 38 (3), 533 (1995)
  25. I. Mora-Sero, R. Tena-Zaera, J. Gonzalez, V. Munoz-Sanjose. J. Cryst. Growth, 262, 19 (2004)
  26. R.G. Dhere, M. Bonnet-Eymard, E. Charlet, E. Peter, J.N. Duenow, J.V. Li, D. Kuciauskas, T.A. Gessert. Thin Sol. Films, 519 (21), 7142 (2011)
  27. J. Schaffner, M. Motzko, A. Tueschen, A. Swirschuk, H.-J. Schimper, A. Klein, T. Modes, O. Zywitzki, W. Jaegermann. J. Appl. Phys., 110, 064 508 (2011)
  28. W. Wang, G. Zhang, X. Li. Chem. Lett., 37 (8), 848 (2008)
  29. R.H. Bube. In: Encyclopedia of Materials: Science and Technology (Elsevier, 2001) p. 873
  30. T. Ohgai, L. Gravier, X. Hoffer, J.-P. Ansermet. J. Appl. Electrochem., 35 (5), 479 (2005)
  31. Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, H. Yan. Adv. Mater., 15 (5), 353 (2003)
  32. X. Jin, M. Kruszynska, J. Parisi, J. Kolny-Olesiak. Nano Research, 4 (9), 824 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme