Вышедшие номера
Инжекционный фотодиод на основе гетероструктуры n-CdS/p-CdTe
Мирсагатов Ш.А.1, Кабулов Р.Р.1, Махмудов М.А.1
1Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение "Физика
Поступила в редакцию: 1 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

Показана возможность создания инжекционных фотодиодов с перестраиваемым спектром фоточувствительности в спектральном диапазоне 500-800 nm на основе n-CdS/p-CdTe-гетероструктуры. Установлено, что такая структура в коротковолновой области спектра, lambda=500 нм, имеет самую высокую спектральную чувствительность Slambda~ 3 А/Вт в прямом направлении при напряжении смещения V = + 120 мВ и Slambda~ 2 А/Вт в обратном направлении при напряжении смещения V = - 120 мВ. Интегральная чувствительность прибора Sint = 2400 А/люмен при освещении белым светом E = 4·10-2 лк, напряжении смещения V = + 4.6 В и температуре T = 293 K. При освещении же монохроматическим светом от лазера ЛГ-75 длиной волны lambda = 625 nm Sint = - 1400 А/Вт (мощность освещения P = 18·10-6 Вт/см2, напряжение смещения V = + 4.6 В и температура T = 293 K). Высокие значения Slambda и Sint обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых уровнях освещенности (P< 18·10-6 Вт/см2).