Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 1163
<<<>>>
Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм
DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49962.44
Переводная версия: 10.1134/S106378262010019X
Кушков Л.А.1,2, Уточкин В.В.1,2, Алёшкин В.Я1, Дубинов А.А.1, Кудрявцев К.Е.1, Гавриленко В.И.1, Куликов Н.С.1,2, Фадеев М.А.1, Румянцев В.В.1, Михайлов Н.Н.3, Дворецкий С.А.3, Разова А.А1,2, Морозов С.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: fadeev@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 10 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 17 июня 2020 г.
Принята к печати: 17 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
PDF версия
В гетероструктурах с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe в области длин волн 3-4 мкм выполнены исследования стимулированного излучения на межзонных переходах в зависимости от длины волны накачки. Минимальное значение пороговой плотности мощности и максимальная температура, при которых удается получить стимулированное излучение, соответствуют энергиям кванта накачки вблизи ширины запрещенной зоны барьеров. В структуре с толщиной покровного слоя 150 нм при непрерывной накачке и температурах выше 200 K было обнаружено структурное уширение спектра излучения, связываемое с проявлением эффекта Штарка, возникающего из-за влияния электрического поля области пространственного заряда поверхностного барьера. Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, стимулированное излучение, окно прозрачности атмосферы, эффект Штарка.
  1. F.K. Tittel, D. Richter, A. Fried. In: Solid-state mid-infrared laser sources (2003) p. 458
  2. R. Maulini, I. Dunayevskiy, A. Lyakh, A. Tsekoun, C.K.N. Patel, L. Diehl, C. Pflugl, F. Capasso. Electron. Lett., 45 (2), 107 (2009)
  3. Y. Bai, N. Bandyopadhyay, S. Tsao, S. Slivken, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 98 (18), 181102 (2011)
  4. N. Bandyopadhyay, Y. Bai, S. Tsao, S. Nida, S. Slivken, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 101 (24), 241110 (2012)
  5. T. Kruczek, K.A. Fedorova, G.S. Sokolovskii, R. Teissier, A.N. Baranov, E.U. Rafailov. Appl. Phys. Lett., 102 (1), 11124 (2013)
  6. P. Laffaille, J.C. Moreno, R. Teissier, M. Bahriz, A.N. Baranov. AIP Adv., 2 (2), 22119 (2012)
  7. I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Canedy, C.S. Kim, M. Kim, C.D. Merritt, J. Abell, J.R. Lindle, J.R. Meyer. Nature Commun., 2, 585 (2011)
  8. A. Bauer, K. Rob ner, T. Lehnhardt, M. Kamp, S. Hofling, L. Worschech, A. Forchel. Semicond. Sci. Technol., 26 (1), 014032 (2011)
  9. D. Jung, S. Bank, M. L. Lee, D. Wasserman. J. Opt., 19, 123001 (2017)
  10. J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. J. Appl. Phys., 78 (12), 6908 (1995)
  11. E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 67 (18), 2591 (1995)
  12. E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 68 (18), 2480 (1996)
  13. C. Roux, E. Hadji, J.-L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 75 (12), 1661 (1999)
  14. C. Roux, E. Hadji, J.-L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 75 (24), 3763 (1999)
  15. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ, 1997) гл. 11, с. 235
  16. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. Opt. Express, 2, 137 (1998)
  17. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39, 918 (2010)
  18. N. Mikhailov, R. Smirnov, S. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V. Shvets, E. Spesivtsev, S. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnol., 3, 120 (2006)
  19. S. Morozov, V. Rumyantsev, A. Kadykov, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, A. Antonov, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, V. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 108, 092104 (2016)
  20. В.В. Румянцев, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, А.А. Дубинов, В.В. Уточкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко. ФТП, 51 (12), 1616 (2017)
  21. M.A. Fadeev, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, K.E. Kudryavtsev, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Opt. Express, 26, 12755 (2018)
  22. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 111 (19), 192101 (2017)
  23. V.V. Rumyantsev, N.S. Kulikov, A.M. Kadykov, M.A. Fadeev, A.V. Ikonnikov, A.S. Kazakov, M.S. Zholudev, V.Y. Aleshkin, V.V. Utochkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko. Semiconductors, 52 (11), 1375 (2018)
  24. V. Rumyantsev, M. Fadeev, V. Aleshkin, N. Kulikov, V. Utochkin, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, S. Pavlov, H.-W. Hubers, V. Gavrilenko, C. Sirtori, Z.F. Krasilnik, S. Morozov. Phys. Status Solidi B, 256 (6), 1800546 (2019)
  25. A.A. Andronov, Y.N. Nozdrin, A.V. Okomel'kov, N.N. Mikhailov, G.Y. Sidorov, V.S. Varavin. J. Luminesc., 132 (3), 612 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme