Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100061 
Президент РФ, Программа государственной поддержки молодых российских ученых - докторов наук, МД-1708.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Стабильность, 20-38-70063
Дорохин М.В.
1, Демина П.Б.
1, Данилов Ю.А.1, Вихрова О.В.1, Кузнецов Ю.М.
1, Ведь М.В.1, Iikawa F.2, Balanta M.A.G.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Instituto do Fisica "Gleb Watagin", UNICAMP, 777 Sergio Buarque de Holanda Street --- Cidade Universitaria Zeferino Vaz, Barao Geraldo, Campinas, Brazil
2Instituto do Fisica "Gleb Watagin", UNICAMP, 777 Sergio Buarque de Holanda Street --- Cidade Universitaria Zeferino Vaz, Barao Geraldo, Campinas, Brazil
Email: dorokhin@nifti.unn.ru, demina@phys.unn.ru, yurakz94@list.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
Представлены результаты исследования фотолюминесценции с разрешением по времени, выполненные для полупроводниковых гетероструктур, содержащих в матрице GaAs две невзаимодействующие квантовые ямы InGaAs - нелегированную и однородно легированную атомами хрома (InGaAs:Cr). Показано, что введение Cr существенным образом влияет на рекомбинационное время жизни носителей в квантовых ямах. Изменение интенсивности фотолюминесценции начиная с момента возбуждения не описывается моноэкспоненциальной спадающей функцией, что объясняется изменением в квантовых ямах встроенного электрического поля поверхностного барьера вследствие экранирования фотовозбужденными носителями. Ключевые слова: фотолюминесценция, гетероструктуры, квантовые ямы, примесь Cr.
- H. Onho. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
- A. Dakhama, B. Lakshmi, D. Heiman. Phys. Rev. B, 67, 115204 (2003)
- G.V. Astakhov, R.I. Dzhioev, K.V. Kavokin, V.L. Korenev, M.V. Lazarev, M.N. Tkachuk, Yu.G. Kusrayev, T. Kiessling, W. Ossau, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 101, 076602 (2008)
- R. Schulz, T. Korn, D. Stich, U. Wurstbauer, D. Schuh, W. Wegscheider, G. Schuller. Physica E, 40, 2163 (2008)
- M.J. Papastamatiou, G.J. Papaioannou. J. Appl. Phys., 68, 1094 (1990)
- D.L. Budnitskii, V.A. Novikov, O.P. Tolbanov, I.A. Prudaev. Russ. Phys. J., 51, 531 (2008)
- H. Fritzsche. Phys. Rev., 99, 406 (1955)
- A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov, M.V. Dorokhin, I.L. Kalentyeva, A.A. Konakov, V.K. Vasiliev, D.A. Pavlov, Yu.V. Usov, B.N. Zvonkov. J. Magn. Magn. Mater., 478, 84 (2019)
- M. Jo, G. Duan, T. Mano, K. Sakoda. Nanoscale Res. Lett., 6, 76 (2011)
- О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, П.А Юнин. Нанофизика и наноэлектроника. Матер.симп. (Нижний Новгород, Россия, 2014) т. 2, с. 446
- V.N. Astratov, Yu.A. Vlasov. Le J. de Physique IV, 3 (5), 277 (1993). https://doi.org/10.1051/jp4:1993555
- Э. Зенгуил. Физика поверхности (М., Мир, 1990)
- Ф. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008) с. 108
- F. Daiminger, A. Schmidt, F. Faller, A. Forchel. Proc. SPIE, 2139, 213 (1994)
- R. Zucca. J. Appl. Phys., 48, 1987 (1977)
- G. Schumm, T.K. Plant. Solid-State Electron., 30 (1), 109 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
