Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах ²⁸Si_1-x⁷²Ge_x

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49957.37

Переводная версия: 10.1134/S1063782620100097

RFBR , 18-03-00235-а

Ежевский А.А. ¹, Сенников П.Г.², Гусейнов Д.В.¹, Сухоруков А.В.¹, Калинина Е.А.¹, Абросимов Н.В.³

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Leibniz-Institut fur Kristallzuchtung (IKZ), Berlin, Germany

Email: ezhevski@phys.unn.ru, pgsen@rambler.ru, guseinov@phys.unn.ru, soukhorukov@phys.unn.ru, matveevakatya@inbox.ru, nikolay.abrosimov@ikz-berlin.de

Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.

В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.

Принята к печати: 21 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах Si_1-xGe_x (x=0.0039-0.05), обогащенных бесспиновыми изотопами ²⁸Si (99.998%) и ⁷²Ge (99.984%) методом электронного парамагнитного резонанса. Исследовалась тонкая структура спектра донорного электрона, локализованного на литии (T=3.5-30 K), в предположении, что при обогащении бесспиновыми изотопами (²⁸Si^isoGe, iso = 70, 72, 74, 76) сплавов Si_1-xGe_x можно достичь, как и в кремнии, более высокого разрешения в спектрах электронного парамагнитного резонанса. Исследования показали, что, несмотря на нерегулярное расположение атомов германия в решетке твердого раствора ²⁸Si_1-x⁷²Ge_x, создаваемые ими локальные искажения и уширение линий электронного парамагнитного резонанса донорных электронов за счет случайных деформаций в изотопно-чистых монокристаллах ²⁸Si_1-x⁷²Ge_x при x=0.39, 1.2, 2.9 ат%, наблюдались более узкие линии спектров электронного парамагнитного резонанса лития по сравнению с аналогичными кристаллами с природной композицией изотопов кремния и германия, что позволило, как и в кремнии, впервые исследовать угловые зависимости положений линий в спектрах электронного парамагнитного резонанса лития в Si_1-xGe_x при различных x. Ключевые слова: мелкие доноры, моноизотопные кремний-германий, бесспиновые изотопы, электронный спиновый резонанс, долинно-орбитальное расщепление, электронные состояния, тонкая структура спектра, локальная симметрия, локальные искажения.

M. Veldhorst, H.G.J. Eenink, C.H. Yang, A.S. Dzurak. Nature Commun., 8, 1766 (2017)
F.A. Zwanenburg, A.S. Dzurak, A. Morello, M.Y. Simmons, L.C.L. Hollenberg, G. Klimeck, S. Rogge, S.N. Coppersmith, M.A. Eriksson. Rev. Mod. Phys., 85, 961 (2013)
J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 97, 869 (1955)
A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Rep. Prog. Phys., 44, 1297 (1981)
A.J. Mayur, M.D. Sciacca, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B, 48, 10893 (1993)
V.V. Emtsev Jr., C.A.J. Ammerlaan, A.A. Ezhevskii, A.V. Gusev. Physica B, 376--377, 45 (2006)
D.V. Guseinov, A.A. Ezhevskii, C.A.J. Ammerlaan. Physica B, 381, 164 (2006)
D.V. Guseinov, A.A. Ezhevskii, C.A.J. Ammerlaan. Physica B, 395, 65 (2007)
G.D. Watkins, S.F. Ham. Phys. Rev., 1, 4071 (1970)
A. Honig, A.F. Kip. Phys. Rev., 95, 1986 (1954)
Feher. Phys. Rev., 114, 1219 (1959)
A.A. Ezhevskii, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, A.V. Gusev. Physica B: Condens. Matter, 404, 5063 (2009)
A.A. Ezhevskii, S.A. Popkov, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Semiconductors, 46, 1468 (2012)
A.A. Ezhevskii, S.A. Popkov, A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, A.A. Konakov, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Sol. St. Phenomena, 205--206, 191 (2014)
A. Hollmann, T. Struck, V. Langrock, et al. arXiv: 1907.04146v1 [cond-mat.mes-hall]формах (2019)
T.G. Castner. Phys. Rev., 155, 816 (1967)
Y. Song, O. Chalaev, H. Dery. Phys. Rev. Lett., 113, 167201 (2014)
А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, А.В. Сухоруков, Е.А. Матвеева, Н.В. Абросимов. Тр. XXIV Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.) т. 2, c. 567 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель