Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 1117
<<<>>>
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г. Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений
DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49954.28
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100267
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, 05.617.21.0058 (RFMEFI61719X0058)
Сибирев Н.В. 1, Бердников Ю.С.2, Сибирев В.Н.3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский горный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
PDF версия
Изучено влияние упругих напряжений на кристаллическую фазу Ga(As, P) нитевидных нанокристаллов. Показано, что упругие напряжения могут приводить к устойчивому росту нитевидных нанокристаллов в метастабильной фазе. Описана возможность смены кристаллической фазы внутри GaP нитевидного нанокристалла после появления Ga(AsP)-вставки. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, политипизм, фосфид галлия, вюрцит.
  1. N. Holonyak, S.F. Bevacqua. Appl. Phys. Lett., 1 (4), 82 (1962)
  2. Y. Zhang, M. Aagesen, J.V. Holm, H.I. J rgensen, J. Wu, H. Liu. Nano Lett., 13 (8), 3897 (2013)
  3. T.J. Grassman, M.R. Brenner, M. Gonzalez, A.M. Carlin, R.R. Unocic, R.R. Dehoff, M.J. Mills, S.A. Ringel. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (12), 3361 (2010)
  4. C.B. Maliakkal, M. Gokhale, J. Parmar, R.D. Bapat, B.A. Chalke, S. Ghosh, A. Bhattacharya. Nanotechnology, 30 (25), 254002 (2019)
  5. Landolt-Bornstein-Gr. III Condens. Matter 41A1beta Gr. IV Elem. IV-IV III-V Compd. (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 2002) [ed. by O. Madelung, U. Rossler, M. Schulzb]
  6. C. Chen, M.C. Plante, C. Fradin, R.R. LaPierre. J. Mater. Res., 21 (11), 2801 (2006)
  7. E. Ertekin, P.A. Greaney, D.C. Chrzan, T.D. Sands. J. Appl. Phys., 97 (11), 1 (2005)
  8. J.D. Christesen, C.W. Pinion, X. Zhang, J.R. Mcbride, J.F. Cahoon. ACS Nano, 8 (11), 11790 (2014)
  9. P. Periwal, N.V. Sibirev, G. Patriarche, B. Salem, F. Bassani, V.G. Dubrovskii, T. Baron. Nano Lett., 14 (9), 5140 (2014)
  10. J.C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche. Phys. Rev. B, 81 (23), 1 (2010)
  11. M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, G. Patriarche, L. Travers, V. Zwiller, U. Perinetti, J.C. Harmand. Nano Lett., 7 (6), 1500 (2007)
  12. T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, T. Ito. Japanese J. Appl. Phys., Pt 2 Lett., 45 (8-11), 275 (2006)
  13. F. Glas, J.C. Harmand, G. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99 (14), 3 (2007)
  14. Н.В. Сибирёв, М.А. Тимофеева, А.Д. Большаков, М.В. Назаренко, В.Г. Дубровский. ФТТ, 52 (7), 1428 (2010)
  15. N.N. Halder, S. Cohen, D. Gershoni, D. Ritter. Appl. Phys. Lett., 112 (13), 133107 (2018)
  16. K.A. Dick, P. Caroff, J. Bolinsson, M.E. Messing, J. Johansson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Semicond. Sci. Technol., 25 (2), 024009 (2010)
  17. S. Lehmann, J. Wallentin, D. Jacobsson, K. Deppert, K.A. Dick. Nano Lett., 13 (9), 4099 (2013)
  18. S. Assali, L. Gagliano, D.S. Oliveira, M.A. Verheijen, S.R. Plissard, L.F. Feiner, E.P.A.M. Bakkers. Nano Lett., 15 (12), 8062 (2015)
  19. E. Husanu, D. Ercolani, M. Gemmi, L. Sorba. Nanotechnology, 25 (20), 205601 (2014)
  20. J.P. Boulanger, R.R. Lapierre. J. Cryst. Growth, 332 (1), 21 (2011)
  21. A.D. Bolshakov, V.V. Fedorov, N.V. Sibirev, M.V. Fetisova, E.I. Moiseev, N.V. Kryzhanovskaya, O.Y. Koval, E.V. Ubyivovk, A.M. Mozharov, G.E. Cirlin, I.S. Mukhin. Phys. Status Solidi --- Rapid Res. Lett., 13 (11), 1900350 (2019)
  22. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, О.С. Пащенко. ФТТ, 62 (4), 523 (2020)
  23. S.Y. Karpov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 16 (1998)
  24. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris. Cryst. Growth Des., 10 (9), 3949 (2010)
  25. N.V. Sibirev, Y.S. Berdnikov, V.N. Sibirev. Techn. Phys. Lett., 45 (10), 1050 (2019)
  26. N.V. Sibirev, Y.S. Berdnikov, V.N. Sibirev. ФТТ, 61 (12), 2316 (2019)
  27. Y. Hiraya, F. Ishizaka, K. Tomioka, T. Fukui. Appl. Phys. Express, 9 (3), 035502 (2016)
  28. А.А. Корякин, С.А. Кукушкин, Н.В. Сибирев. ФТП, 53 (3), 370 (2019)
  29. J. Johansson, L.S. Karlsson, C.P.T. Svensson, T. Mrtensson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson, W. Seifert. Nature Material, 5 (7), 574 (2006)
  30. G. Priante, G. Patriarche, F. Oehler, F. Glas, J.C. Harmand. Nano Lett., 15 (9), 6036 (2015)
  31. Y. Zhang, M. Aagesen, J.V. Holm, H.I. J rgensen, J. Wu, H. Liu. Nano Lett., 13 (8), 3897 (2013)
  32. J.P. Boulanger, R.R. Lapierre. J. Cryst. Growth, 388, 116 (2014)
  33. F. Glas. J. Appl. Phys., 108 (7), 073506 (2010)
  34. Н.В. Сибирев. Письма ЖТФ, 41 (5), 1 (2015)
  35. B. Derby. Phys. Rev. B, 76 (5), 1 (2007)
  36. M. Dunaevskiy, P. Geydt, E. Lahderanta, P. Alekseev, T. Haggren, J.P. Kakko, H. Jiang, H. Lipsanen. Nano Lett., 17 (6), 3441 (2017)
  37. C.-Y. Yeh, Z.W. Lu, S.. Froyen, A. Zunger. Phys. Rev. B, 46 (16), 10086 (1992)
  38. T. Ito. Japanese J. Appl. Phys., Pt 2 Lett., 37 (10 B), L 1217 (1998)
  39. M.S. Yashinski, H.R. Gutierrez, C.L. Muhlstein. Nanotechnology, 28 (6), 065703 (16pp) (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme