Исследованы температурные зависимости вольт-фарадных характеристик и спектры глубоких уровней плавного высоковольтного Al_xGa_1-xAs p⁰-i-n⁰-перехода, изготовленного методом жидкофазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Обнаруженные изменения вольт-фарадных характеристик в зависимости от температуры измерения и оптической подсветки продемонстрировали, что в исследуемых Al_xGa_1-xAs слоях p⁰-, i-, n⁰-типа содержатся бистабильные DX-центры. В спектрах нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS), измеренных при различных напряжениях смещения V_r и импульса заполнения V_f, в n⁰-слое выявлен положительный DLTS-пик с энергией термической активации E_t=280 мэВ и сечением захвата электронов sigma_n=3.17·10^-14 см², что является необычным для ловушки основных носителей. Этот пик связывается с отрицательно заряженным состоянием донорной примеси Se/Te, которое является бистабильным DX-центром с отрицательной энергией корреляции U. Ключевые слова: AlGaAs, емкостная спектроскопия, DX-центр, p⁰-i-n⁰-переход, жидкофазная эпитаксия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.