Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 1072
<<<>>>
Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs p-i-n-структур
DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49945.9419
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100280
Соболев М.М. 1, Солдатенков Ф.Ю. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.sobolev@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 30 апреля 2020 г.
Принята к печати: 18 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
PDF версия
Исследованы температурные зависимости вольт-фарадных характеристик и спектры глубоких уровней плавного высоковольтного AlxGa1-xAs p0-i-n0-перехода, изготовленного методом жидкофазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Обнаруженные изменения вольт-фарадных характеристик в зависимости от температуры измерения и оптической подсветки продемонстрировали, что в исследуемых AlxGa1-xAs слоях p0-, i-, n0-типа содержатся бистабильные DX-центры. В спектрах нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS), измеренных при различных напряжениях смещения Vr и импульса заполнения Vf, в n0-слое выявлен положительный DLTS-пик с энергией термической активации Et=280 мэВ и сечением захвата электронов sigman=3.17·10-14 см2, что является необычным для ловушки основных носителей. Этот пик связывается с отрицательно заряженным состоянием донорной примеси Se/Te, которое является бистабильным DX-центром с отрицательной энергией корреляции U. Ключевые слова: AlGaAs, емкостная спектроскопия, DX-центр, p0-i-n0-переход, жидкофазная эпитаксия.
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Д.Н. Третьяков, В.М. Тучкевич. ФТП, 1 (10), 1579 (1967)
  2. R. Bhojani, J. Kowalsky, T. Simon, J. Lutz. IET Power Electron., 9 (4), 689 (2016). DOI: 10.1049/iet-pel.2015.0019
  3. V. Dudek, J. Kowalsky, J. Lutz. Proc. Int. Conf. on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (Denver, USA, May 19-22, 2014) p. 397
  4. Ф.Ю. Солдатенков, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков. ФТП, 41(2), 217 (2007)
  5. В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 43 (8), 1093 (2009)
  6. V.A. Kozlov, F.Y. Soldatenkov, V.G. Danil'chenko, V.I. Korol'kov, I.L. Shul'pina. Proc. 25th Advanced Semiconductor Manufacturing Conf. (Saratoga Springs, USA, May 19-21, 2014) p. 139. DOI: 10.1109/ASMC.2014.6847011
  7. N.M. Lebedeva, V.A. Kozlov, F.Y. Soldatenkov, A.A. Usikova. J. Phys. Conf. Ser., 690 012038 (2016). DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012038
  8. М.М. Соболев, П.Р. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р.M. Майсурадзе. ФТП, 25 (6), 1058 (1989)
  9. П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25 (2), 338 (1991)
  10. Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34 (5), 558 (2000)
  11. М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков, В.А. Козлов. ФТП, 50 (7), 941 (2016)
  12. М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 52 (2), 177 (2018)
  13. M.M. Sobolev, F.Y. Soldatenkov, L. Shul'pina. J. Appl. Phys., 123 161588 (2018). DOI: 10.1063/1.5011297
  14. O. Yastrubchak, T. Wosinski, A. Makosa, T. Figielski, S. Porowski, I. Grzegory, R. Czernecki, P. Perlin. Eur. Phys. J.: Appl. Phys., 27, 201 (2004). https://doi.org/10.1051/epjap:2004139
  15. A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13 (22), 666 (1977). http://dx.doi.org/10.1049/el:19770473
  16. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45 (7), 3023 (1974). https://doi.org/10.1063/1.1663719
  17. D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. Lett., 39, 635 (1977). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.39.635
  18. P.M. Mooney. J. Appl, Phys., 67, R1 (1990). https://doi.org/10.1063/1.345628
  19. T.N. Theis, P.M. Mooney, B.D. Parker. J. Electron. Mater., 20, 35 (1991). https://doi.org/10.1007/BF02651963
  20. L. Dobaczewski, P. Kaczor. Phys. Rev. Lett., 66, 68 (1991). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.66.68
  21. J.E. Dmochowski, P. Kaczor, M. Missous, A.R. Peaker, Z.R. Zytkiewicz. Phys. Rev. Lett., 68, 2508 (1992). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.68.2508
  22. П.Н. Брунков, В.П. Евтихиев, С.Г. Конников, Е.Ю. Котельников, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 24 (11), 1978 (1990)
  23. D.J. Chadi, K. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10366 (1989). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.10063
  24. В.А. Елюхин, С.Ю. Карпов, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 4 (11), 629 (1978)
  25. Г. Крессел, Г. Нельсон. Физика тонких пленок: cовременное состояние исследований и технические применения, пер. с англ. под ред. В.Б. Сандомирского, А.Г. Ждана (М., Мир, 1977) т. 7, с. 133. [H. Kressel, H. Nelson. Physics of Thin Films: Advances in Research and Development, ed. by G. Haas, M.H. Francombe, and R.W. Hoffman (Academic, N. Y., 1974) v. 7]
  26. М.М. Соболев, И.В. Кочнев, М.И. Папенцев. ФТП, 28 (4), 663 (1994)
  27. M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, M.I. Papentsev, V.S. Kalinovsky. Semicond. Sci. Technol., 11, 1692 (1996). https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/11/11/009
  28. М.М. Соболев, О.С. Кен, О.М. Сресели, Д.А. Явсин, С.А. Гуревич. Письма ЖТФ, 44 (7), 30 (2018)
  29. M.M. Sobolev, O.S. Ken, O.M. Sreseli, D.A. Yavsin, S.A. Gurevich. Semicond. Sci. Technol., 34, 085003 (2019). https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab2c21
  30. M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Phys. Rev., 41, 8485 (1990). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.41.8485

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme