Вышедшие номера
Особенности механизма электропроводности в γ-облученных монокристаллах TlInSe2 под гидростатическим давлением
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100206
Мадатов Р.С.1,2, Гасымов Ш.Г.3, Бабаев С.С.3, Алекперов А.С.4, Мовсумова И.М.5, Джабаров С.Г.1,4
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Национальная авиационная академия, Баку, Азербайджан
3Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
4Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
5Гянджинский государственный университет, Гянджа, Азербайджан
Email: sakin@jinr.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 1 июня 2020 г.
Принята к печати: 15 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

Исследовано влияние гидростатического давления до 10 кбар на электропроводность γ-облученных цепочечных монокристаллов TlInSe2 с удельным сопротивлением rho~108 Ом·см. Установлено, что наблюдаемые аномалии электропроводности облученных образцов TlInSe2 при дозах облучения D<100 крад и D>100 крад связаны с упорядоченной перестройкой дефектов, в состав которых входят межузельные атомы катионов и анионов. Характер аномального изменения, барические зависимости удельного сопротивления rho(P) в облученных образцах свидетельствуют о том, что под действием давления формируются локальные энергетические уровни за счет макроскопических скоплений радиационных дефектов, в результате чего изменяется энергия уровня Ферми, изменяется концентрация носителей заряда. Ключевые слова: гидростатическое давление, электропроводность, цепочечные монокристаллы, γ-облучение, радиационные дефекты, барическая зависимость.
  1. G. Guseinov, A.M. Ramanzade, E.M. Kerimova, M.Z. Ismailov. Phys. Status Solidi, 22, K117 (1967)
  2. D. Muller, G. Eulenberger, H. Hahn. Z. Anorg. Allgm. Chem., 438, 258 (1982)
  3. S. Kashida, K. Nakamura, S. Katayama. Sol. St. Commun., 82, 127 (1992)
  4. R.S. Madatov, A.I. Nadzhafarov, T.B. Tagiev, M.R. Gazanfarov. Surf. Engin. Appl. Electrochem., 46 (5), 497 (2010)
  5. Р.С. Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б. Тагиев, М.Р. Газанфаров. ФТТ, 53 (11), 2097 (2011)
  6. А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. ФТТ, 53 (3), 433 (2011)
  7. К.Р. Аллахвердиев, Ш.Г. Гасымов, Т.Г. Мамедов, М.А. Низамеддинова, Э.Ю. Салаев. ФТП, 17 (2), 203 (1983)
  8. N.T. Mamedov, S.H. Jabarov, D.P. Kozlenko, N.A. Ismayilova, M.Yu. Seyidov, T.G. Mammadov, N.T. Dang. Int. J. Mod. Phys. B, 33 (15), 1950149 (2019)
  9. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ, 51 (11), 2140 (2009)
  10. С.Н. Мустафаева, Ш.Г. Гасымов, Э.М. Керимова, М.М. Асадов. ФТТ, 54 (1), 43 (2012)
  11. С.В. Лунев, П.Л. Шигорин. 9-я Междунар. конф. "Взаимодействие излучений с твердым телом" (Минск, 2011)
  12. А.З. Абасова, Р.С. Мадатов, В.И. Стафеев. Радиационно-стимулированные процессы в халькогенидных структурах (Баку, Елм, 2010)
  13. В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
  14. Г.Б. Абдуллаев, А.З. Абасова, А.М. Горшков, Ф.А. Заитов, В.И. Стафеев, Э.Ю. Салаев, Г.М. Шаляпина. ФТП, 16 (6), 1136 (1982)
  15. Р.С. Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б. Тагиев, М.Р. Газанфаров. Изв. НАН Азерб., сер. физ.-мат. наук, 30 (2), 100 (2010)
  16. Г.Б. Абдуллаев, А.З. Абасова, А.М. Горшков, Ф.А. Заитов, В.И. Стафеев, Э.Ю. Салаев, Г.М. Шаляпина. ФТП, 16 (6), 1136 (1982).
  17. Г.Л. Беленький, Э.Ю. Салаев, Р.А. Сулейманов. УФН, 155 (1), 89 (1988)
  18. В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, С.Ю. Саркисов. ФТП, 44 (9), 1194 (2010)
  19. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП, 37 (5), 557 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.