Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090328 
Министерство образования и науки Российской Федерации, Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, RFMEFI62020X0003
Забавичев И.Ю.
1,2, Пузанов А.С.
1,2, Оболенский С.В.
1,2, Козлов В.А.
3
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: zabavichev.rf@gmail.com, aspuzanov@inbox.ru, obolensk@rf.unn.ru, kozlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.
Проведено численное моделирование изменения подвижности носителей заряда после радиационного воздействия в GaAs-структурах. Для каждого исследуемого потенциала рассеяния получены значения модельных параметров, при которых результаты расчета согласуются с экспериментальными данными. Впервые показано, что вид потенциала рассеяния на радиационных дефектах определяет временную и пространственную динамику всплеска скорости в коротких структурах. Ключевые слова: метод Монте-Карло, кластер радиационных дефектов, эффект всплеска скорости.
- International Roadmap for Devices and Systems. 2017 Edn, Copyright\@2018 IEEE
- М.А. Китаев, С.В. Оболенский, Н.В. Демарина, В.К. Киселев. Вестн. Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского. Сер.: физика твердого тела, 1, 137 (2000)
- К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский, А.П. Ятманов, А.В. Воеводин. Сб. тр. 5-й Всеросс. науч.-техн. конф. " Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем --- 2012" (М., 2012)
- Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989)
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- В.П. Кладько, В.П. Пляцко. ФТП, 32 (3), 261 (1998)
- Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Вестн. Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского. Сер.: физика твердого тела, 1, 20 (2003)
- И.Ю. Забавичев, Е.С. Оболенская, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 51 (11), 1489 (2017)
- А.С. Давыдов. Теория твердого тела (М., Наука, 1976)
- T.M. Flanagen. IEEE Trans. Nucl. Sci., 15 (6), 42 (1968)
- M. Bertolotti. J. Appl. Phys., 12, 2645 (1967)
- И.Ю. Забавичев, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, C.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 53 (9), 1279 (2019)
- B.R. Gossick. J. Appl. Phys., 30 (8), 1214 (1959)
- R.M. Fleming, C.H. Seager, D.V. Lang, E. Bielejec, J.M. Campbell. J. Appl. Phys., 102, 043711 (2007)
- Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Физика и химия обраб. материалов, 3, 29 (2005)
- И.Ю. Забавичев, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 51 (11), 1520 (2017)
- В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов, А.В. Скупов. Журн. радиоэлектроники, 17 (2), 10 (2014)
- Н.В. Демарина, С.В. Оболенский, В.К. Киселев. Вестн. Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского. Сер.: физика твердого тела, 1, 131 (2000)
- С. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. Научно-технический сборник " Радиационная стойкость электронных систем --- Стойкость-2016" (М., НИЯУ МИФИ, 2016) с. 69
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Тез. докл. VI Всеросс. конф. (Нижний Новгород, 2016) с. 89
- Н.В. Демарина, С.В. Oболенский. ЖТФ, 72 (1), 66 (2002)
- Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Вопросы атомной науки и техники. Сер.: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 1, 46 (2004)
- Д. Ланг. Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979)
- Б.А. Калин. Физическое материаловедение. Т. 4. Физические основы прочности. Радиационная физика твердого тела. Компьютерное моделирование (М., МИФИ, 2008)
- Р. Зулиг. В кн.: Арсенид галлия в микроэлектронике (М., Мир, 1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
