Изучалось поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах Si_1-xGe_x, (x=0.0039-0.05), обогащенных бесспиновыми изотопами ²⁸Si (99.998%) и ⁷²Ge (99.984%) методом электронного спинового резонанса. Исследовалась сверхтонкая структура спектра донорного электрона, дающая информацию о плотности волновой функции донора в основном состоянии на ядре ³¹P (I=1/2), а также температурные зависимости скорости спиновой релаксации (T=3.5-30 K), позволившие сделать анализ механизма релаксации продольной компоненты T₁ и величину долинно-орбитального расщепления состояния донора. Интерес к данным исследованиям вызван еще тем, что сплав Si_1-xGe_x, обогащенный бесспиновыми изотопами (²⁸Si^isoGe, iso=70, 72, 74, 76), является мало изученным материалом по сравнению с ²⁸Si. Нерегулярное расположение атомов германия в решетке твердого раствора SiGe и создаваемые ими локальные искажения могут нивелировать изотопические эффекты при изотопном обогащении. Однако, несмотря на уширение линий электронного спинового резонанса донорных электронов за счет случайных деформаций, создаваемых растворенными атомами германия в кремнии, в изотопно-чистых монокристаллах Si_1-xGe_x при x=0.39, 1.2, 2.9 ат% наблюдались более узкие линии спектров электронного спинового резонанса по сравнению с аналогичными кристаллами с природной композицией изотопов кремния и германия. Ключевые слова: мелкие доноры, моноизотопные кремний-германий, бесспиновые изотопы, сверхтонкое расщепление, электронный спиновый резонанс, долинно-орбитальное расщепление, электронные состояния, электронная плотность, скорости спиновой релаксации, локальные искажения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.