"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090249
Румянцев В.В.1,2, Маремьянин К.В.1,2, Разова А.А.1,2, Сергеев С.М.1, Михайлов Н.Н.3, Дворецкий С.А.3, Гавриленко В.И.1,2, Морозов С.В.1,2
1Институт физики микроструктур РАН --- филиал Института прикладной физики РАН, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Проведены исследования фотоотклика в диапазоне частот 0.15-15 ТГц в эпитаксиальных слоях HgCdTe с концентрацией кадмия от 15.2 до 19.2%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что узкозонные и бесщелевые твердые растворы HgCdTe могут быть использованы в качестве приемников как терагерцового, так и субтерагерцового излучения с характерным временем отклика 2-4 нс и величиной чувствительности, приближающейся к широко используемому в этом диапазоне приемнику на основе n-InSb. Ключевые слова: терагерцовое излучение, HgCdTe, фотоэлектрические приемники, фотопроводимость.
  1. S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Materials, 5 (3), 035503 (2017)
  2. B. Buttner, C.X. Liu, G. Tkachov, E.G. Novik, C. Brune, H. Buhmann, E.M. Hankiewicz, P. Recher, B. Trauzettel, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Nature Physics, 7 (5), 418 (2011)
  3. F. Teppe, M. Marcinkiewicz, S.S. Krishtopenko, S. Ruffenach, C. Consejo, A.M. Kadykov, W. Desrat, D. But, W. Knap, J. Ludwig, S. Moon, D. Smirnov, M. Orlita, Z. Jiang, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii. Nature Commun., 7, 12576 (2016)
  4. M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.L. Barra, G. Martinez, M. Potemski. Nature Physics, 10 (3), 233 (2014)
  5. D.B. But, M. Mittendorff, C. Consejo, F. Teppe, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, C. Faugeras, S. Winnerl, M. Helm, W. Knap, M. Potemski, M. Orlita. Nature Photonics, 13 (11), 783 (2019)
  6. A. Rogalski. Rep. Prog. Phys., 68 (10), 2267 (2005)
  7. A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. JETP Lett., 106 (3), 162 (2017)
  8. M. Otteneder, D. Sacre, I. Yahniuk, G.V. Budkin, K. Diendorfer, D.A. Kozlov, I.A. Dmitriev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.V. Bel'kov, W. Knap, S.D. Ganichev. Phys. Status Solidi B, 257, 2000023 (2020)
  9. C. Brune, C.X. Liu, E.G. Novik, E.M. Hankiewicz, H. Buhmann, Y.L. Chen, X.L. Qi, Z.X. Shen, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 106 (12), 126803 (2011)
  10. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39 (7), 918 (2010)
  11. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnology, 3 (1), 120 (2006)
  12. V.A. Shvets, N.N. Mikhailov, D.G. Ikusov, I.N. Uzhakov, S.A. Dvoretskii. Opt. Spectrosc., 127 (2), 340 (2019)
  13. V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, A.V. Antonov, S.V. Morozov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semiconductors, 47 (11), 1438 (2013)
  14. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104 (7), 072102 (2014)
  15. Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (4), 444 (2015)
  16. Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (9), 1206 (2015)
  17. S. Krishnamurthy, M.A. Berding, Z.G. Yu. J. Electron. Mater., 35 (6), 1369 (2006)
  18. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.E. Kudryavtsev, D.I. Kuritsin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 107 (4), 042105 (2015)
  19. E.H. Putley. Semicond. Semimet., 12, 143 (1977)
  20. A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 20 (3), 279 (2012)
  21. E.O. Melezhik, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov. Nanoscale Res. Lett., 11 (1), 181 (2016)
  22. F. Sizov, V. Petriakov, V. Zabudsky, D. Krasilnikov, M. Smoliy, S. Dvoretski. Appl. Phys. Lett., 101 (8), 082108 (2012)
  23. B.A. Weber, S.M. Kulpa. Int. J. Infrared Milli., 3 (2), 235 (1982)
  24. V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Technol., 32 (9), 095007 (2017)
  25. D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56 (6), 1601 (1984)
  26. Ю.Б. Васильев, А.А. Усикова, Н.Д. Ильинская, П.В. Петров, Ю.Л. Иванов. ФТП, 42 (10), 1253 (2008)
  27. В.В. Румянцев, С.В. Морозов, К.Е. Кудрявцев, В.И. Гавриленко, Д.В. Козлов. ФТП, 46 (11), 1414 (2012)
  28. В.Я. Алешкин, С.В. Морозов, В.В. Румянцев, И.В. Тузов. ФТП, 49, 117 (2015)
  29. P.A. Bushuykin, B.A. Andreev, V.Y. Davydov, D.N. Lobanov, D.I. Kuritsyn, A.N. Yablonskiy, N.S. Averkiev, G.M. Savchenko, Z.F. Krasilnik. J. Appl. Phys., 123 (19), 195701 (2018)
  30. V.V. Rumyantsev, K.V. Maremyanin, A.P. Fokin, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.Y. Glyavin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko. Semiconductors, 53 (9), 1217 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.