"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb0.74Sn0.26Te(In) с модифицируемой поверхностью
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090134
Иконников А.В.1, Дудин В.C.1, Артамкин А.И.1, Акимов А.Н.2, Климов А.Э.2,3, Терещенко О.Е.2,4, Рябова Л.И.1, Хохлов Д.Р.1,5
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
5Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: antikon@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Представлены результаты исследований оптических и транспортных свойств эпитаксиальных пленок Pb0.74Sn0.26Te(In) с различной обработкой поверхности. Сравнительный анализ полученных данных позволил установить, что характерные особенности спектров фотопроводимости определяются процессами в объеме пленки, а поверхностные состояния на спектры практически не влияют. При этом кинетика фотоотклика и скорость релаксационных процессов в существенной степени зависят от состояния поверхности. Характерные времена релаксации неравновесных носителей заряда (порядка нескольких мс) позволяют использовать методы стандартной фурье-спектроскопии для характеризации оптических переходов в объеме. Ключевые слова: фотопроводимость, кинетика релаксации, поверхностные состояния, PbSnTe.
  1. Lead Chalcogenides: Physics \& Applications, ed. by D. Khokhlov (N.Y., Taylor \& Francis, 2003)
  2. A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 20, 279 (2012)
  3. G. Bauer, H. Burkhard. J. Appl. Phys., 47, 1721 (1976)
  4. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
  5. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
  6. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 80, 143 (2004)
  7. D.R. Khokhlov, I.I. Ivanchik, S.N. Raines. Appl. Phys. Lett., 76, 2835 (2000)
  8. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 184, 1033 (2014)
  9. B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskiy, L.I. Ryabova, V.N. Vasil'kovd, S.P. Zimin. Semicond. Sci. Technol., 19, 679 (1999)
  10. S. de Castro, D.A.W. Soares, M.L. Peres, P.H.O. Rappl, E. Abramof. Appl. Phys. Lett., 105, 162105 (2014)
  11. M.A.B. Tavares, M.J. da Silva, M.L. Peres, S. de Castro, D.A.W. Soares, A.K. Okazaki, C.I. Fornari, P.H.O. Rappl, E. Abramof. Appl. Phys. Lett., 110, 042102 (2017)
  12. И.И. Засавицкий, А.В. Матвеенко, Б.Н. Мацонашвили, В.Т. Трофимов. ФТП, 20, 214 (1986)
  13. А.В. Иконников, В.И. Черничкин, Д.А. Акопян, В.С. Дудин, Д.Е. Долженко, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Физика низких температур, 45, 165 (2019)
  14. B.A. Akimov, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 8, S349 (1993)
  15. А.Н. Акимов, А.Э. Климов, С.В. Морозов, С.П. Супрун, В.С. Эпов, А.В. Иконников, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев. ФТП, 50, 1713 (2016)
  16. А.Н. Акимов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, А.С. Ярошевич, М.Л. Савченко, В.С. Эпов, Е.В. Федосеенко. ФТП, 51, 1574 (2017)
  17. А.В. Иконников, В.И. Черничкин, В.C. Дудин, Д.А. Акопян, А.Н. Акимов, А.Э. Климов, О.Е. Терещенко, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 53, 1303 (2019)
  18. А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Матричные фотоприемные устройства (Новосибирск, Наука, 2001)
  19. O.E. Tereshenko, S.I. Chikicev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2655 (1999)
  20. W. Anderson. IEEE J. Quant. Electron., 13, 532 (1977)
  21. А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко. ЖТФ, 89, 1795 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.