"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модификация соотношения sp^2/sp^3-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090316
Юнин П.А.1, Охапкин А.И.1, Дроздов М.Н.1, Королев С.А.1, Архипова Е.А.1, Краев С.А.1, Дроздов Ю.Н.1, Шашкин В.И., Радищев Д.Б.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: yunin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Известно, что слои алмазоподобного углерода DLC (diamond-like carbon) состоят из фракций углерода как с "графитовой" s-0.8ptp^2-гибридизацией электронных орбиталей, так и с "алмазной" s-0.8ptp^3-гибридизацией. Количественное соотношение s-0.8ptp^2- и s-0.8ptp^3-фракций сильно влияет на структурные, морфологические, прочностные, оптические и электрофизические свойства пленок. В данной работе исследуется возможность управления долями s-0.8ptp^2- и s-0.8ptp^3-гибридного углерода в пленках DLC, полученных методом плазмохимического осаждения на подложках монокристаллического кремния и алмаза. Демонстрируются способы варьирования доли s-0.8ptp^3-фракции как непосредственно in situ при получении пленки путем изменения мощности емкостного и индуктивно-связанного разрядов, так и ex situ с помощью термического отжига и электрического поля. Ключевые слова: алмазоподобный углерод, плазмохимическое осаждение, монокристалический алмаз, термический отжиг.
  1. S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, M. Suzuki. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors (Chennai, Woodhead Publishing, 2018)
  2. П.А. Юнин, П.В. Волков, Ю.Н. Дроздов, А.В. Колядин, С.А. Королев, Д.Б. Радищев, Е.А. Суровегина, В.И. Шашкин. ФТП, 52 (11), 1321 (2018)
  3. П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Чернов, В.А. Исаев, С.А. Богданов, А.Б. Мучников. ФТП, 50 (12), 1647 (2016)
  4. A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchni\=kov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler. Phys. Status Solidi RRL, 10 (4), 324 (2016)
  5. J.E. Butler, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radischev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, E.V. Demidov, E.A. Surovegina, V.I. Shashkin, A. Davidov, H. Tan, L. Meshi, A.C. Pakpour-Tabrizi, M.-L. Hicks, R.B. Jackman. Phys. Status Solidi RRL, 11 (1), 1600329 (2017)
  6. T.T. Pham, J. Pernot, G. Perez, D. Eon, E. Gheeraert, N. Rouger. IEEE Еlectron Dev. Lett., 38 (11), 1571 (2017)
  7. W. Wang, K. Fu, C. Hu, F. Li, Z. Liu, S. Li, F. Lin, J. Fu, J. Wang, H. Wang. Diamond Relat. Mater., 69, 237 (2016)
  8. Z. Ren, J. Zhang, J. Zhang, C. Zhang, S. Xu, Y. Li, Y. Hao. IEEE Electron Dev. Lett., 38 (6), 786 (2017)
  9. А.И. Охапкин, П.А. Юнин, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, С.А. Краев, Е.А. Архипова, Е.В. Скороходов, П.А. Бушуйкин, В.И. Шашкин. ФТП, 53 (9), 1229 (2019)
  10. A. Galbiati, S. Lynn, K. Oliver, F. Schirru, T. Nowak, B. Marczewska, J. Duenas, R. Berjillos, I. Martel, L. Lavergne. IEEE Trans. Nucl. Sci., 56 (4), 1863 (2009)
  11. J. Robertson. Mater. Sci. Eng. R, 37, 129 (2002)
  12. М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.И. Охапкин, П.А. Юнин, О.А. Стрелецкий, А.Е. Иешкин, Письма ЖТФ, 46 (6), 38 (2020)
  13. Diffrac. Leptos 7. User Manual (Karlsruhe, Bruker AXS GmbH, 2009)
  14. А.С. Веденеев, В.А. Лузанов, В.В. Рыльков. Письма ЖЭТФ, 109, 170 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.