Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 5 » Статья стр. 675
<<<>>>
Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
Векслер М.И.1, Тягинов С.Э.2,1, Илларионов Ю.Ю.1,3, Sing Yew Kwang4, Shenp Ang Diing4, Федоров В.В.1, Исаков Д.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2TU Vienna, Institute for Mictroelectronics, Wien, Austria
3Singapore Institute of Manufacturing Technology, Singapore
4Nanyang Technological University, Singapore
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
PDF версия
Предлагается алгоритм расчета вольт-амперных характеристик системы металл-туннельно-тонкий диэлектрик-полупроводник, управляемой напряжением или током. Обсуждаются физические модели, взятые за основу. Работоспособность алгоритма подтверждается сопоставлением результатов моделирования с данными измерений, как полученными непосредственно авторами, так и заимствованными из литературы, для нескольких различных структур. Предполагается, что изложенных сведений достаточно для проведения расчетов электрических характеристик интересующих структур с самыми различными сочетаниями материалов: металлический или поликремниевый затвор, одно- или многослойный диэлектрик, любые тип и уровень легирования полупроводника.
  1. K. Kuhn, Ch. Kenyon, A. Kornfeld, M. Liu, A. Maheshwari, W.-k. Shih, S. Sivakumar, G. Taylor, P. VanDerVoorn, K. Zawadzki. Intel Technology J., 12 (2), 93 (2008)
  2. E. Aderstedt, I. Medugorac, P. Lundgren. Sol. St. Electron., 46 (4), 497 (2002)
  3. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28 (8), 1411 (1994)
  4. A.Ya. Vul', A.T. Dideikin. Sensors Actuators A, 39 (1), 7 (1993)
  5. Th. Kauerauf, B. Govoreanu, R. Degreave, G. Groeseneken, H. Maes. Sol. St. Electron., 49 (5), 695 (2005)
  6. H. Bachhofer, H. Reisinger, E. Bertagnolli, H. von Philipsborn. J. Appl. Phys., 89 (5), 2791 (2001)
  7. T. Kanazawa, R. Fujii, T. Wada. Y. Suzuku, M. Watanabe, M. Asada. Appl. Phys. Lett., 90, 092101 (2007)
  8. A. Ghetti, J. Bude, P. Silverman, A. Hamad, H. Vayda. IEICE Trans. Electron., E83-C (8), 1175 (2000)
  9. N. Yang, W.K. Henson, J.R. Hauser, J.J. Wortman. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-46 (7), 1464 (1999)
  10. I.V. Grekhov, G.G. Kareva, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Microelectron. Reliab., 47 (4--5), 669 (2007)
  11. P. Palestri, N. Barin, D. Brunel, C. Busseret, A. Campera, P.A. Childs, F. Driussi, C. Fiegna, G. Fiori, R. Gusmeroli, G. Iannaccone, M. Karner, H. Kosina, A.L. Lacaita, E. Langer, B. Majkusiak, C. Monzio Compagnoni, A. Poncet, E. Sangiorgi, L. Selmi, A.S. Spinelli, J. Walczak. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (1), 106 (2007)
  12. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2, гл. 8
  13. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
  14. A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
  15. M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 47 (8), 1283 (2003)
  16. G.A.M. Hurkx, D.B.M. Klaassen, M.P.G. Knuvers. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-39 (2), 331 (1992)
  17. B. Jonsson, S.T. Eng. IEEE J. Quant. Electron., QE-26 (11), 2025 (1990)
  18. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (нерелятивистская теория) (М., Наука, 1989)
  19. W. Franz. In: S. Flugge, ed. Handbuch der Physik (Springer, Berlin, 1956) v. XVIII, p. 155
  20. S.E. Tyaginov, M.I. Vexler, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Microelectron. Eng., 83 (2), 376 (2006)
  21. W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42 (13), 5556 (1971)
  22. Y.-C. Yeo, Q. Lu, W.C. Lee, T.-J. King, C. Hu, X. Wang, X. Guo, T.P. Ma. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-21 (11), 540 (2000)
  23. H. Yu, Y.-T. Hou, M.-F. Li, D.-L. Kwong. IEEE Trans. Electron Dev., ED-49 (7), 1158 (2002)
  24. S. Monaghan, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, M.A. Negara, A. Schenk. Sol. St. Electron., 53 (4), 438 (2009)
  25. J. Robertson. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (3), 1785 (2000)
  26. S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38 (1), 41 (1981)
  27. J.P. Shiely. Simulation of tunneling in MOS devices (Ph.D. tresis, Duke Univ., 1999)
  28. A. Schenk. Advanced physical models for silicon device simulations (Springer, Wien, N.Y., 1998) chap. 5
  29. Y.Y. Illarionov, M.I. Vexler, S.M. Suturin, V.V. Fedorov, N.S. Sokolov, K. Tsutsui, K. Takahashi. Microelectron. Eng., 88 (7), 1291 (2011)
  30. M.I. Vexler, N.S. Sokolov, S.M. Suturin, A.G. Banshchikov, S.E. Tyaginov, T. Grasser. J. Appl. Phys., 105, 083716 (2009)
  31. В. Феллер. Введение в теорию вероятностей и ее приложения (М., Мир, 1984) т. 2
  32. S.E. Tyaginov, M.I. Vexler, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Sol. St. Electron., 49 (7), 1192 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme