Вышедшие номера
Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
Векслер М.И.1, Тягинов С.Э.2,1, Илларионов Ю.Ю.1,3, Sing Yew Kwang4, Shenp Ang Diing4, Федоров В.В.1, Исаков Д.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2TU Vienna, Institute for Mictroelectronics, Wien, Austria
3Singapore Institute of Manufacturing Technology, Singapore
4Nanyang Technological University, Singapore
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Предлагается алгоритм расчета вольт-амперных характеристик системы металл-туннельно-тонкий диэлектрик-полупроводник, управляемой напряжением или током. Обсуждаются физические модели, взятые за основу. Работоспособность алгоритма подтверждается сопоставлением результатов моделирования с данными измерений, как полученными непосредственно авторами, так и заимствованными из литературы, для нескольких различных структур. Предполагается, что изложенных сведений достаточно для проведения расчетов электрических характеристик интересующих структур с самыми различными сочетаниями материалов: металлический или поликремниевый затвор, одно- или многослойный диэлектрик, любые тип и уровень легирования полупроводника.