Электрофизические свойства мезопористого кремния, пассивированного железом
Биленко Д.И.1, Галушка В.В.1, Жаркова Э.А.1, Мысенко И.Б.1, Терин Д.В.1, Хасина Е.И.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
Исследованы вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики структур на основе мезопористого кремния, полученного методом неэлектролитического травления при пассивации железом (SiMP:Fe). Показано, что в гетероструктурах Al-SiMP:Fe-p-Si-Al проводимость и барьеры зависят от концентрации Fe неоднозначно. Пассивация железом изменяет не только величину проводимости слоя SiMP:Fe, но и характер переноса носителей на низких частотах. При концентрации железа ~ 1 ат% преимущественным становится туннельный перенос сквозь барьеры по сравнению с "прыжковым" по оборванным связям. Пассивация железом слоя SiMP стабилизирует электрофизические свойства, что подтвердилось значениями концентрации ловушек, оцененными по ВАХ, при длительном хранении структур. Это, вероятно, связано с процессами взаимодействия ионов железа с поверхностью кремния с образованием окислов.
- J. Verbeck, O.I. Lebedev, G. Van Jendeloo, L. Cagnon, C. Bougeral. J. Electrochem. Soc., 150 (10), 468 (2003)
- Э.П. Домашевская, А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, И.Н. Шабанова, Н.С. Теребова. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., N 2, 11 (2012)
- Q.W. Chen, X. Li, Y. Zhang. Chem. Phys. Lett., 343, 507 (2001)
- M. Rahmani, A. Moadhen, M.A. Zaibi, H. Elhouichet, M. Oueslati. J. Luminesc., 128, 1763 (2008)
- О.Ю. Шевченко, Д.И. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 44, 669 (2010)
- M. Rahmani, A. Moadhen, M.A. Zaibi, A. Lusson, H. Elhouichet, M. Oueslati. J. Alloys Comp., 485, 422 (2009)
- D.I. Bilenko, E.A. Jarkova, I.B. Mysenko, D.V. Terin, E.I. Hasina. Mater. Proc. 8th Inter.Conf. PSST-2012
- K. Peng, Y. Wu, H. Fung, X. Zhong, Y. Xu, J. Zhu. Angew. Chem. Intl. Edn., 44, 2737 (2005)
- Д.И. Биленко, В.В. Галушка, Э.А. Жаркова, И.Б. Мысенко, Д.В. Терин, Е.И. Хасина. ФТП, 45, 984 (2011)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, c. 453
- Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 33, 327 (1999)
- J.A. Balagurov, D.G. Yarkin, E.A. Petrova. Mater. Sci. Engin. B, 69-70, 127 (2000)
- Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Э.А. Жаркова, И.Б. Мысенко, Д.В. Терин, Е.И. Хасина. ФТП, 41, 945 (2007)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, c. 368
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.