Особенности полевой генерации неосновных носителей заряда в структурах Si-SiO2
Барабан А.П.1, Коноров П.П.1, Дмитриев В.А.1, Прокофьев В.А.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Рассмотрены особенности генерационных процессов в структурах Si-SiO2 при наличии сильного электрического поля в окисном слое (Eox~ 10 МВ/см). Показано, что при достижении определенного порогового значения напряженности электрического поля происходит подключение дополнительного механизма генерации неосновных носителей заряда в кремнии, связанного с развитием процессов электролюминесценции в окисном слое.
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
- M. Zerbst. Z. Angew. Phys., 22 (1), 120 (1966)
- А.П. Барабан, Ю.А. Тарантов. Микроэлектроника, 8 (4), (1979)
- Е.И. Гольдман. ФТП, 27, 269 (1993)
- А.П. Барабан, В.А. Дмитриев, Ю.В. Петров. Электролюминесценция в твердотельных слоистых структурах на основе кремния (СПб., СПб. ун-т, 2009)
- A.P. Baraban, Yu.V. Petrov. Semiconductors, 42, 1515 (2008)
- С.М. 3и. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- P. Solomon, N. Klein. J. Appl. Phys., 47, 1023 (1976)
- D.J. Di Maria, J.R. Kirtley, E.J. Pakulis. J. Appl. Phys., 56, 401 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
