Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/n-GaAs/AlGaAs
Алешкин В.Я.1, Бурдейный Д.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Теоретически исследуются характеристики кулоновского рассеяния электронов проводимости на мелких донорных центрах в гетероструктурах AlxGa1-xAs/n-GaAs/AlxGa1-xAs с квантовыми ямами при учете влияния резонансных состояний. Резонансные состояния возникают под возбужденными подзонами размерного квантования вследствие наличия доноров. Найдены асимметричные резонансные особенности в спектрах полного и транспортного сечений кулоновского рассеяния в окрестности резонансных значений энергии. Показано, что особенности не являются малым эффектом: вблизи резонансных значений энергии сечения могут в несколько раз отличаться от соответствующих величин для нерезонансного случая.
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (нерелятивистская теория) (М., Наука, 1989)
- В.Я. Алешкин, Л.В. Гавриленко, М.А. Одноблюдов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 42, 899 (2008)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов. ФТП, 15, 542 (1981)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26, 201 (1992)
- M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, V.M. Chistyakov, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 62, 2486 (2000)
- V.Ya. Aleshkin, D.I. Burdeiny. Semicond. Sci. Technol., 26, 095 003 (2011)
- F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev., 163, 816 (1967)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- В. Карпус. ФТП, 20, 12 (1986)
- В. Карпус. ФТП, 22, 439 (1988)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
