Вышедшие номера
Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок beta-Ga2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063782620060093
Russian science foundation (RSF), 18-44-06001
HRSF, 0004
Калыгина В.М. 1, Алмаев А.В. 1, Новиков В.А. 1, Петрова Ю.С. 1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru, almaev_alex@mail.ru, novikovvadim@mail.ru, Petrovays@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 11 февраля 2020 г.
Принята к печати: 11 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.

Исследованы структуры резистивного типа на основе пленок оксида галлия. Пленки Ga2O3 получали ВЧ-магнетронным распылением мишени beta-Ga2O3 (99.9999%) на не нагретые сапфировые подложки с предварительно нанесенными платиновыми электродами. Получены данные о структуре и фазовом составе пленок сразу после напыления и после отжига в аргоне при 900oC в течение 30 мин. Измерены темновые и вольт-амперные характеристики при воздействии излучения с λ=254 нм. Показано, что после отжига фототок увеличивается на порядок. Экспериментально подтверждено отсутствие чувствительности исследованных структур к излучению в видимом интервале длин волн (λ=400 нм). Ключевые слова: пленки оксида галлия, термический отжиг, темновой ток, фототок.
  1. E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18, 33 (2003)
  2. Z.Y. Xu, B.M. Sadler. IEEE Commun. Mag., 46, 67 (2008)
  3. S. Aslam, F. Yan, D.E. Pugel, D. Franz, L. Miko, F. Herrero, M. Matsumara, S. Babu, C.M. Stahle. Proc. SPIE, 5901, 59011J-1 (2005)
  4. Z.G. Shao, D.J. Chen, H. Lu, R. Zhang, D.P. Cao, W.J. Luo, Y.D. Zheng, L. Li, Z.H. Li. IEEE Electron. Dev. Lett., 35, 372 (2014)
  5. A. Balducci, M. Marinelli, E. Milani, M.E. Morgada, A. Tucciarone, G. Verona-Rinati, M. Angelone, M. Pillon. Appl. Phys. Lett., 86, 193509 (2005)
  6. J. Yu, C.X. Shan, J.S. Liu, X.W. Zhang, B.H. Li, D.Z. Shen. Phys. Status Solidi RRL, 7, 425 (2013)
  7. K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 46, L307 (2007)
  8. W. Yang, S.S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R.P. Sharma, T. Venkatesan, R.D. Vispute, H. Shen. Appl. Phys. Lett., 82, 3424 (2003)
  9. Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, T. Fukuda. J. Cryst. Growth, 220, 510 (2000)
  10. E. Ohba, T. Kobayashi, M. Kado, K. Hoshikawa. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202bf (2016)
  11. H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey, E. Amzallag, I. Baraille, M. Rerat. Phys. Rev., 74, 195123 (2006)
  12. R. Suzuki1, S. Nakagomi1, Y. Kokubun, N. Arai, S. Ohira. Appl. Phys. Lett., 94, 222102 (2009)
  13. S. Nakagomi, T. Momo, S. Takahashi, Y. Kokubun. Appl. Phys. Lett., 103, 072105 (2013)
  14. S. Oh, Y. Jung, M.A. Mastro, J.K. Hite, C.R. Eddy, jr., J. Kim. Opt. Express, 23 (22), 28300 (2015)
  15. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
  16. M.J. Tadjer, M.A. Mastro, N.A. Mahadik, M. Currie, V.D. Wheeler, J.A. Freitas, jr., J.D. Greenlee, J.K. Hite, K.D. Hobart, C.R. Eddy, jr., F.J. Kub. J. Electron. Mater., 45, 2031 (2016)
  17. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018)
  18. X. Chen, F. Ren, S. Gu, J. Ye. Photon. Research, 7 (4), 381 (2019)
  19. Y. Qin, S. Long, H. Dong, Q. He, G. Jian, Y. Zhang, X. Hou, P. Tan, Z. Zhang, H. Lv, Q. Liu, M. Liu. Chinese Phys. B, 28, 018501 (2019)
  20. A. Tsymbalov, J. Petrova. J. Phys.: Conf. Ser., 124, 071004 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.