Вышедшие номера
Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782620060160
Шутаев В.А.1, Гребенщикова Е.А.1, Сидоров В.Г.2, Компан М.Е.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "АИБИ", Санкт-Петербург, Россия
Email: vadimshutaev@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 января 2020 г.
В окончательной редакции: 5 февраля 2020 г.
Принята к печати: 5 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.

Исследован импеданс и емкостные свойства структур Pd/оксид/InP при 300 K в диапазоне частот 10-1-105 Гц на воздухе и в азотно-водородной газовой среде. Характеристики структур в обеих средах интерпретируются на основе модели параллельной RC-цепочки с последовательным сопротивлением. В присутствии водорода сопротивление структур уменьшается на 3 порядка, а емкость взрастает на 1-3 порядка в зависимости от частоты, что, возможно, связано с образованием положительно заряженных центров в оксиде. На вольт-фарадных характеристиках структур в среде с водородом обнаружен гистерезис, возможно, обусловленный ионной поляризацией центров. Показано, что полный заряд центров, измеренный в единицах электронов, практически совпадает с числом атомов водорода, поглощенных палладием. Ключевые слова: палладий, водород, фосфид индия, импеданс, МОП структура.
  1. B. Podlepetsky, M. Nikiforova, A. Kovalenko. Sensors Actuators B, 254, 1200 (2018)
  2. P. Sun, Y. Yu, J. Xu, Y. Sun, J. Ma, G. Lu. Sensors Actuators B, 160 (1), 244 (2011)
  3. W.C. Liu, H.J. Pan, H.I. Chen, K.W. Lin, C.K. Wang. Jpn. J. Appl. Phys., 40, 6254 (2001)
  4. T. Hubert, L. Boon-Brett, G. Banach. Sensors Actuators B, 157, 329 (2011)
  5. Б.В. Некрасов. Основы общей химии (М., Химия, 1973) т. 2, c. 382
  6. F.D. Manchester, A. San-Martin, J.M. Pitre. J. Phase Eguilibria, 15, 62 (1994)
  7. K. Skucha, Zh. Fan, K. Jeon, A. Javey, B. Boser. Sensors Actuators B, 145, 232 (2010)
  8. Kh.M. Salikhov, S.V. Slobodchikov, B.V. Russu. SPIE, 3122, 494 (1997)
  9. С.М. Репинский. Введение в химическую физику поверхности твердых тел (Новосибирск, Наука, 1993) c. 94
  10. О.В. Константинов, В.Д. Дымников, М.А. Митцев. ФТП, 42 (8), 947 (2008)
  11. I.N. Yamamoto, S. Tonomura, T. Matsuoka, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 52, 6227 (1981)
  12. Е.А. Гребенщикова, В.В. Евстропов, Н.Д. Ильинская, Ю.С. Мельников, О.Ю. Серебренникова, В.Г. Сидоров, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 49 (3), 376 (2015)
  13. В.А. Шутаев, В.Г. Сидоров, Е.А. Гребенщикова, Л.К. Власов, А.А. Пивоварова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 53 (10), 1427 (2019)
  14. Е.А. Гребенщикова, Х.М. Салихов, В.Г. Сидоров, В.А. Шутаев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 52 (10), 1183 (2018)
  15. В.И. Гаман, В.И. Балюба, В.Ю. Грицык, Т.А. Давыдова, В.М. Калыгина. ФТП, 42 (3), 341 (2008)
  16. С.В. Тихов, В.П. Лесников, В.В. Подольский, М.В. Шилова. ЖТФ, 65 (11), 120 (1995)
  17. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, А.В. Пенцов, Е.В. Руссу, С.В. Слободчиков, В.М. Фетисова. ЖТФ, 61 (9), 173 (1991)
  18. K. Zdansky. Nanoscale Res. Lett., 6 (1), 490 (2011)
  19. J. Grym, O. Prochazkova, R. Yatskiv, K. Piksova. Nanoscale Res. Lett., 6 (392), 4 (2011)
  20. H.I. Chen, Y.I. Chou, C.Y. Chu. Sensors Actuators B, 85, 10 (2002)
  21. Е.А. Гребенщикова, В.Г. Сидоров, В.А. Шутаев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 53 (2), 246 (2019)
  22. Е.А. Гребенщикова, В.А. Шутаев, А.А. Капралов. Патент на изобретение N 2621879 (2016)
  23. G.S. Korotchenkov, N.P. Bejan. IEEE, 1, 301 (1998)
  24. E. Barsoukov, J. Ross Macdonald. Impedance spectroscopy: theory, experiment, and applications (Hoboken, N. J. Wiley, 2018) p. 11

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.