Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование фотомодулированного отражения монокристаллов 6H-SiC

Грузинцев А.Н.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Поступила в редакцию: 9 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние ультрафиолетового облучения поверхности монокристаллов карбида кремния (6H-SiC) на их оптическое отражение в видимой и фиолетовой областях спектра. Показано, что сигнал фотоотражения максимален при падении света под углом Брюстера с поляризацией, параллельной плоскости падения. Установлено относительное изменение показателя преломления (10^-3) поверхностных слоев кристалла при облучении азотным лазером, обусловленное генерацией неравновесных свободных носителей в зоне проводимости материала.

J.R. Oconner, J. Smiltens. Silicon carbide (Pergamon, N.Y., 1960) p. 136
H. Morkoc, S. Strite, G.M. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Buns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
Y.M. Tairov, R. Tsverkov. J. Cryst. Growth, 52, 146 (1981)
А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, Ю.В. Озеров, И.М. Тигиняну. Тр. ФИАН, 163, 39 (1985)
B.O. Seraphin, N. Bottka. Phys. Rev., 145, 628 (1966)
R.E. Hahory, J.L. Shay. Phys. Rev. Lett., 21, 1569 (1968)
C. Honge, C. Baumgarden. Phys. Rev. B, 1, 3347 (1970)
O.A. Ryabushkin, E.I. Lonskaya. Physica E, 13, 374 (2002)
Т. Тамир. Интегральная оптика (М., Мир, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель