Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода

Шенгуров Д.В.¹, Чалков В.Ю.², Денисов С.А.², Шенгуров В.Г.², Степихова М.В.¹, Дроздов М.Н.¹, Красильник З.Ф.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Продемонстрированы технология и свойства светоизлучающих легированных эрбием и кислородом Si-структур. Слои были осаждены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на (100)Si, используя кремниевый сублимационный источник, легированный Er. Перед ростом слоев парциальное давление кислородсодержащих газов в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии было меньше 5·10^-10 Торр. Концентрация кислорода в слоях Si, выращенных при 450^oC, была ~ 1·10¹⁹ см^-3, а эрбия - 10¹⁸ см^-3. Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, имели хорошее кристаллическое качество, демонстрируя эффективный сигнал фото- и электролюминесценции с преобладанием в спектрах оптически активного центра Er-1, формируемого в процессе послеростового отжига при температуре 800^oC.

G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
J.L. Rogers, P.S. Andry, W.J. Varhue, E. Adams, M. Lavoie, P.B. Klein. J. Appl. Phys., 78, 6241 (1995)
M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 75, 2584 (1999)
S. Scalese, G. Franzo, S. Mirabella, M. Re, A. Terrasi, F. Priolo, E. Rimini, C. Spinella, A. Carnera. J. Appl. Phys., 88, 4091 (2000)
G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
Morito Matsuoka, Shunichi Tohno. J. Appl. Phys., 78, 2751 (1995)
W.X. Ni, C.X. Du, K.B. Joelsson, G. Pozina, G.V. Hansson. J. Luminescence, 80, 309 (1999)
Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин, Т.В. Котерева. ФТТ, 47 (1), 108 (2005)
R. Serna, E. Snoeks, G.N. van den Hoven, A. Polman. J. Appl. Phys., 75, 2644 (1994)
С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.А. Толомасов, Г.Н. Горшенин, В.Ю. Чалков. ПТЭ, N 5, 137 (2001)
В.В. Постников, Р.Г. Логинова, М.И. Овсянников. Кристаллография, 10, 585 (1965)
Д.В. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, В.Г. Шенгуров, М.В. Степихова, Л.В. Красильникова, К.Е. Кудрявцев, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник. Тр. VII Междунар. конф. "Кремний-2010" (Н. Новгород, Россия, 6--9 июля 2010) с. 103

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель