Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
Шалеев М.В.1, Новиков А.В.1, Юрасов Д.В.1, Hartmann J.M.2, Кузнецов О.А.3, Лобанов Д.Н.1, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2CEA / Leti, Grenoble, France
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2CEA / Leti, Grenoble, France
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
Выполнены исследования критической толщины двумерного роста Ge на релаксированных буферных слоях SiGe/Si(001) с различным процентным содержанием Ge в зависимости от параметров слоев. Показано, что, кроме рассогласования кристаллических решеток пленки и подложки, на величину критической толщины двумерного роста Ge на буферных слоях SiGe существенное влияние оказывают сегрегация Ge при росте слоев SiGe и изменение шероховатости поверхности роста при осаждении напряженных (растянутых) слоев Si. Выявлено, что критическая толщина двумерного роста Ge непосредственно на буферных слоях SiGe с долей Ge x=11-36% меньше, чем при осаждении на Si(001) подложку. Обнаруженное увеличение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении толщины предосажденного на буфер напряженного (растянутого) слоя Si связывается с уменьшением, как шероховатости поверхности роста, так и количеством Ge, находящегося на ней вследствие сегрегации.
- M.L. Lee, E.A. Fitzgerald, M.T. Bulsara, M.T. Currie, A. Lochtefeld. J. Appl. Phys., 97, 011 101 (2005)
- S. Tsujino, C.V. Falub, E. Muller, M. Scheinert, L. Diehl, U. Gennser, T. Fromherz, A. Borak, H. Sigg, D. Grutzmacher, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel. Appl. Phys. Lett., 84, 2829 (2004)
- N. Usami, F. Issiki, D.K. Nayak, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 67, 524 (1995)
- S. Gupta, M.L. Lee, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 86, 192 104 (2005)
- Y. Bogumilowicz, J.M. Hartmann, N. Cherkashin, A. Claverie, G. Rolland, T. Billon. Mater. Sci. Eng. B, 124-125, 113 (2005)
- K.E. Lee, E.A. Fitzgerald. Journal of Crystal Growth, 312, 250 (2010)
- I. T ngring, H.Q. Ni, B.P. Wu, D.H. Wu, Y.H. Xiong, S.S. Huang, Z.C. Niu, S.M. Wang, Z.H. Lai, A. Larsson. Appl. Phys. Lett., 91, 221101 (2007)
- M. d'Avezac, J.-W. Luo, T. Chanier, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 108, 027 401 (2012)
- M.L. Lee. E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 94, 2590 (2003)
- G. Matmon, D.J. Paul, L. Lever, M. Califano, Z. Ikonic, R.W. Kelsall, J. Zhang, D. Chrastina, G. Isella, H. von Kanel, E. Muller, A. Neels. J. Appl. Phys., 107, 053 109 (2010)
- L. Diehl, S. Mente se, E. Muller, D. Grutzmacher, H. Sigg, U. Gennser, I. Sagnes, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 81, 4700 (2002)
- D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19, R75 (2004)
- K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
- Ю.Н. Дроздов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Юрасов. ФТП, 44, 538 (2010)
- A. Rastelli, H. Von Kanel, B.J. Spencer, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 68, 115 301 (2003)
- A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D.G. Cahill, J.E. Greene. Phys. Rev. Lett., 85, 3672 (2000)
- H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 953 (1995)
- D.V. Yurasov, Yu.N. Drozdov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 95, 151 902 (2009)
- M.V. Shaleev, A.V. Novikov, O.A. Kuznetsov, A.N. Yablonsky, N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Mater. Sci. Eng. B, 124-125, 466 (2005)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев. ФТП, 40, 235 (2006)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. ФТТ, 47, 44 (2005)
- J. Tersoff, B.J. Spencer, A. Rastelli, H. von Kanel. Phys. Rev. Lett., 89, 196 104 (2002)
- P. Boguslawski, J..Bernholc. Phys. Rev. Lett., 88, 166 101 (2002)
- Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, В.В. Ульянов, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, 7, 61 (2009)
- Н.В.Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. Микроэлектроника, 34, 1 (2005)
- K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, N. Usami, K. Nakagawa. Appl. Phys. Lett., 83, 4339 (2003)
- Y.H. Xie, G.H. Gilmer, C. Roland, P.J. Silverman, S.K. Buratto, J.Y. Cheng, E.A. Fitzgerald, A.R. Kortan, S. Schuppler, M.A. Marcus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 73, 3006 (1994).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
