Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои

Шалеев М.В.¹, Новиков А.В.¹, Юрасов Д.В.¹, Hartmann J.M.², Кузнецов О.А.³, Лобанов Д.Н.¹, Красильник З.Ф.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²CEA / Leti, Grenoble, France
³Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 9 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнены исследования критической толщины двумерного роста Ge на релаксированных буферных слоях SiGe/Si(001) с различным процентным содержанием Ge в зависимости от параметров слоев. Показано, что, кроме рассогласования кристаллических решеток пленки и подложки, на величину критической толщины двумерного роста Ge на буферных слоях SiGe существенное влияние оказывают сегрегация Ge при росте слоев SiGe и изменение шероховатости поверхности роста при осаждении напряженных (растянутых) слоев Si. Выявлено, что критическая толщина двумерного роста Ge непосредственно на буферных слоях SiGe с долей Ge x=11-36% меньше, чем при осаждении на Si(001) подложку. Обнаруженное увеличение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении толщины предосажденного на буфер напряженного (растянутого) слоя Si связывается с уменьшением, как шероховатости поверхности роста, так и количеством Ge, находящегося на ней вследствие сегрегации.

M.L. Lee, E.A. Fitzgerald, M.T. Bulsara, M.T. Currie, A. Lochtefeld. J. Appl. Phys., 97, 011 101 (2005)
S. Tsujino, C.V. Falub, E. Muller, M. Scheinert, L. Diehl, U. Gennser, T. Fromherz, A. Borak, H. Sigg, D. Grutzmacher, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel. Appl. Phys. Lett., 84, 2829 (2004)
N. Usami, F. Issiki, D.K. Nayak, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 67, 524 (1995)
S. Gupta, M.L. Lee, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 86, 192 104 (2005)
Y. Bogumilowicz, J.M. Hartmann, N. Cherkashin, A. Claverie, G. Rolland, T. Billon. Mater. Sci. Eng. B, 124-125, 113 (2005)
K.E. Lee, E.A. Fitzgerald. Journal of Crystal Growth, 312, 250 (2010)
I. T ngring, H.Q. Ni, B.P. Wu, D.H. Wu, Y.H. Xiong, S.S. Huang, Z.C. Niu, S.M. Wang, Z.H. Lai, A. Larsson. Appl. Phys. Lett., 91, 221101 (2007)
M. d'Avezac, J.-W. Luo, T. Chanier, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 108, 027 401 (2012)
M.L. Lee. E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 94, 2590 (2003)
G. Matmon, D.J. Paul, L. Lever, M. Califano, Z. Ikonic, R.W. Kelsall, J. Zhang, D. Chrastina, G. Isella, H. von Kanel, E. Muller, A. Neels. J. Appl. Phys., 107, 053 109 (2010)
L. Diehl, S. Mente se, E. Muller, D. Grutzmacher, H. Sigg, U. Gennser, I. Sagnes, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 81, 4700 (2002)
D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19, R75 (2004)
K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
Ю.Н. Дроздов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Юрасов. ФТП, 44, 538 (2010)
A. Rastelli, H. Von Kanel, B.J. Spencer, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 68, 115 301 (2003)
A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D.G. Cahill, J.E. Greene. Phys. Rev. Lett., 85, 3672 (2000)
H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 953 (1995)
D.V. Yurasov, Yu.N. Drozdov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 95, 151 902 (2009)
M.V. Shaleev, A.V. Novikov, O.A. Kuznetsov, A.N. Yablonsky, N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Mater. Sci. Eng. B, 124-125, 466 (2005)
Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев. ФТП, 40, 235 (2006)
Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. ФТТ, 47, 44 (2005)
J. Tersoff, B.J. Spencer, A. Rastelli, H. von Kanel. Phys. Rev. Lett., 89, 196 104 (2002)
P. Boguslawski, J..Bernholc. Phys. Rev. Lett., 88, 166 101 (2002)
Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, В.В. Ульянов, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, 7, 61 (2009)
Н.В.Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. Микроэлектроника, 34, 1 (2005)
K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, N. Usami, K. Nakagawa. Appl. Phys. Lett., 83, 4339 (2003)
Y.H. Xie, G.H. Gilmer, C. Roland, P.J. Silverman, S.K. Buratto, J.Y. Cheng, E.A. Fitzgerald, A.R. Kortan, S. Schuppler, M.A. Marcus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 73, 3006 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель