Вышедшие номера
Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb-p-Si<Mn>-Au
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050085
Маматкаримов О.О.1, Химматкулов О. 1, Турсунов И.Г. 1
1Наманганский инженерно-технологический институт, Наманган, Узбекистан
Email: odiljon.63@mail.ru, khimmaqulov@mail.ru, ikromjon0804@gmail.com
Поступила в редакцию: 31 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 9 декабря 2019 г.
Принята к печати: 11 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.

Исследовано влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику в поверхностно-барьерных диодах типа Sb-p-Si<Mn>-Au. Показано, что чувствительность обратного тока структуры к одноосному сжатию значительно превосходит соответствующую чувствительность прямого тока при одинаковых значениях приложенного напряжения. Увеличение прямого тока данных структур при деформации обусловлено внутренним усилением, связанным с перераспределением приложенного напряжения между базой и барьером. Ключевые слова: кремний, поверхностно-барьерный диод, одноосная деформация.
  1. S. Zainabidinov, I.G. Tursunov, O. Khimmatkulov. Semiconductors, 52 (8), 896 (2018)
  2. S. Zainabidinov, O. Mamatkarimov, I.G. Tursunov, O. Khimmatkulov. Ukr. J. Phys., 62 (11), 957 (2017)
  3. А.А. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1972) гл. 2, с. 34
  4. М.К. Бахадырханов, К.С. Аюпов, Г.Х. Мавлонов, С.Б. Исамов. ФТП, 44 (9), 1181 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.