Вышедшие номера
Прогнозирование величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе с применением эффекта Пула-Френкеля
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050127
Ширяев А.А.1, Воротынцев В.М.2, Шоболов Е.Л.1
1Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Email: alsh92@rambler.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 10 декабря 2019 г.
Принята к печати: 16 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.

Проведено исследование возможности прогнозирования с применением эффекта Пула-Френкеля величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе. Путем измерения и моделирования вольт-амперных характеристик захороненного оксида кремния при разных температурах определены условия для эффекта Пула-Френкеля в этом слое. Рассмотрены процессы, протекающие в захороненном оксиде при измерении вольт-амперных характеристик и отжиге. Определены условия термополевой обработки захороненного оксида для имитации радиационного воздействия с помощью инжекции. Проведена оценка зависимости величины накопленного положительного заряда в захороненном оксиде кремния в результате инжекции от величины тока Пула-Френкеля. Показана возможность применения эффекта Пула-Френкеля для оценки дефектности захороненного оксида при изготовлении микросхем с повышенной дозовой радиационной стойкостью. Ключевые слова: кремний-на-изоляторе, оксид кремния, эффект Пула-Френкеля, инжекция носителей заряда, радиационная стойкость.