Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO₂

Качурин Г.А.¹, Черкова С.Г.^1,2, Марин Д.В.^1,2, Володин В.А.^1,2, Черков А.Г.^1,2, Антоненко А.Х.^1,2, Камаев Г.Н.^1,2, Скуратов В.А.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia

Поступила в редакцию: 28 мая 2012 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано действие ионов Xe, 167 МэВ, в интервале доз 10¹²-3·10¹³ см^-2 на гетероструктуры, состоявшие из 6 пар слоев Si/SiO₂ с толщинами ~8 и ~10 нм соответственно. По данным электронной микроскопии, облучение нарушало целостность слоев. При этом рамановские измерения свидетельствовали об увеличении рассеяния от аморфного кремния, а в спектрах фотолюминесценции появлялась желто-оранжевая полоса, присущая мелким выделениям Si в SiO₂. Отжиг при 800^oC восстанавливал сетку SiO₂, а отжиг при 1100^oC приводил к появлению более интенсивного пика фотолюминесценции в области 780 нм, характерного для нанокристаллов Si, причем интенсивность пика люминесценции росла с дозой. Считается, что облучение создает зародыши, облегчающие формирование нанокристаллов Si при последующем отжиге. Процессы протекают внутри треков благодаря сильным нагревам за счет ионизационных потерь ионов.

A.V. Zayats, Yu.A. Repeyev, D.N. Nikogosyan, E.A. Vinogradov. Phys. Lett. A, 155, 65 (1991)
D.J. Lockwood, Z.H. Lu, J.-M. Baribeau. Phys. Rev. Lett., 76, 539 (1996)
B.T. Sullivan, D.J. Lockwood, H.J. Labbe, Z.-H. Lu. Appl. Phys. Lett., 69 (21), 3149 (1996)
Y. Kanemitsu, T. Kushida. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3550 (2000)
L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchet, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood. Appl. Phys. Lett., 72, 43 (1998)
M. Zacharias, P. Streitenberger. Phys. Rev. B, 62, 8391 (2000)
V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87, 8165 (2000)
Z.H. Lu, D.J. Lockwood, J.-M. Baribeau. Sol. St. Electron., 40, 197 (1996)
L. Khriachtchev, O. Kilpela, S. Karirinne, J. Keranen, T. Lepisto. Appl. Phys. Lett., 78, 323 (2001)
P. Photopoulos, A.G. Nassiopoulou. J. Phys.: Condens. Matter, 15, 3641 (2003)
D. Hiller, S. Goetze, M. Zacharias. J. Appl. Phys., 109, 054 308 (2011)
D. Cha, J.H. Shin, I.-H. Song, M.-K. Han. Appl. Phys. Lett., 84 (8), 1287 (2004)
H. Zou, L. Wu, X. Huang, F. Qiao, P. Han, X. Zhou, Z. Ma, Y. Liu, W. Li, K. Chen. Thin Sol. Films, 491 (1--2), 212 (2005)
B.V. Kamenev, H. Grebel, L. Tsybeskov. Appl. Phys. Lett., 88, 143 117 (2006)
V.A. Volodin, T.T. Korchagina, A.K. Gutakovsky, L.I. Fedina, M.A. Neklyudova, A.V. Latyshev, J. Jedrzejewski, I. Balberg, J. Koch, B.N. Chichkov. Phys. Experess, 2 (5), 1 (2012)
M. Toulemonde, C. Dufour, A. Meftah, E. Paumier. Nucl. Instrum. Meth. B, 166--167, 903 (2000)
D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instrum. Meth. B, 107, 259 (1996)
P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. J. Appl. Phys., 93 (6), 3486 (2003)
P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instrum. Meth. B, 239, 185 (2005)
W.M. Arnoldbik, N. Tomozeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2005)
Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, А.Г. Черков. ФТП, 44, 544 (2010)
F. Gourbilleau, C. Ternon, X. Portier, P. Marie, M. Levalois, R. Rizk, C. Dufour. Phys. E, 16, 434 (2003)
Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, В.Г. Кеслер, В.А. Скуратов, А.Г. Черков. ФТП, 45 (3), 419 (2011)
А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, Y. Goldstein, I. Balberg. ФТП, 42, 747 (2008)
С.Н. Шамин, В.Р. Галахов, В.И. Аксенова, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, И.В. Антонова, Т.Б. Ежевская, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg. ФТП, 44, 550 (2010)
I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, D.O. Mazunov, S. Kaschieva, J. Koprinarova, S.N. Dmitriev. J. Optoelectron.: Adv. Mater., 7 (1), 325 (2005)
P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
Y. Batra, T. Mohanty, D. Kanjilal. Nucl. Instrum. Meth. B, 266, 3107 (2008)
Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, А.Г. Черков. ФТП, 44 (4), 544 (2010)
D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instrum. Meth. B, 107, 259 (1996)
T.Y. Choi, D.J. Hwang, C.P. Grigoropoulos. Opt. Eng., 42 (11), 3383 (2003)
K. Sokolowski-Tinten, J. Bialkowski, D. von der Linde. Phys. Rev. B, 51 (20), 14 186 (1995)
H.W.K. Tom, G.D. Aumiller, C.H. Brito-Cruz. Phys. Rev. Lett., 60 (14), 1438 (1988)
A. Rousse, C. Rischel, S. Fourmaux, I. Uschmann, S. Sebban, G. Grillon, Ph. Balcou, E. Forster, J.P. Geindre, P. Audebert, J.C. Gauthier, D. Hulinet. Nature Lett., 410, 65 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель