"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельные полевые транзисторы на основе графена
Свинцов Д.А.1, Вьюрков В.В.1, Лукичёв В.Ф.1, Орликовский А.А.1, Буренков А.2, Охснер Р.2
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт интегральных схем общества Фраунгофера, Эрланген, Германия
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 21 января 2013 г.

Отсутствие закрытого состояния в транзисторах на основе графена является основным препятствием на пути к их использованию в цифровых схемах. Недавно было сообщено о создании туннельного транзистора на графене с низким током закрытого состояния; однако управление проводимостью канала с помощью затвора в данном приборе было неэффективным. Мы предлагаем новую конструкцию туннельного транзистора на графене, в которой ток экспоненциально зависит от напряжения на затворе, а подпороговая крутизна приближается к термоэмиссионному пределу. Особенностью транзистора является наличие полупроводникового (или диэлектрического) туннельного зазора в канале. Характеристики транзистора наследуют низкий ток закрытого состояния, свойственный полупроводниковым каналам, и высокий ток открытого состояния, свойственный графену.
  • A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
  • E. McCann, V.I. Fal'ko. Phys. Rev. Lett., 96, 086 805 (2006)
  • L. Britnell et al. Science, 335, 947 (2012)
  • N. Kharche, S.K. Nayak. Nano Lett., 11, 5274 (2011)
  • K. Kim et al. Nature, 479, 7373 (2011)
  • M. Shur. Physics of semiconductor devices (Pentice-Hall, Englewood Clifs, NJ, 1990)
  • R. Geick, C.H. Perry, G. Rupprecht. Phys. Rev., 146, 543 (1966)
  • E.O. Kane. J. Appl. Phys., 32, 83 (1961)
  • L.V. Keldysh. Sov. Phys. JETP, 6, 33 (1958)
  • A. Schenk. Sol. St. Electron., 36, 1 (1993)
  • L.F. Mao, J.L. Wei, Ch.H. Tan, M. Zh. Xu. Sol. St. Commun., 114, 383 (2000)
  • J. Shannon, K. Nieuwestee. Appl. Phys. Lett., 62, 1815 (1993)
  • S. Xiong, T. King, J. Bokor. IEEE Trans. Electron. Dev., 52, 8 (2005)
  • R.A. Vega. IEEE Trans. Electron. Dev., 53, 7 (2006)
  • Q. Zhang, T. Fang, H. Xing, A. Seabaugh, D. Jena. IEEE Electron. Dev. lett., 54, 10 (2008)
  • A.C. Seabaugh, Q. Zhang. Proc. IEEE, 98, 12 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.