Рассматриваются перспективы защиты высоковольтных 4H-SiC-приборов от краевого пробоя путем формирования мезаструктур с наклонными стенками, образующими прямую фаску. Проведено численное моделирование пространственного распределения электрического поля в высоковольтных (~1500 В) обратносмещенных мезаэпитаксиальных 4H-SiC p⁺-p-n₀-n⁺-диодах. Показано, что снятие прямой фаски под углами менее 10^o от плоскости p-n₀-перехода позволяет в несколько раз уменьшить краевое поверхностное поле по сравнению с полем в объеме. Для 4H-SiC-диодов с p⁺-n₀-n⁺-структурой, диодов Шоттки с n_o-базой, биполярных n⁺-p-n₀-транзисторов предлагается комбинированный способ защиты - имплантация бора в периферийную область приборов в сочетании с формированием прямой фаски. Кратко рассматривается возможность изготовления мезаструктур с наклонными стенками с помощью фотолитографии и сухого травления карбида кремния. Ключевые слова: карбид кремния, диод, прямая фаска, моделирование, сухое травление.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.