Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
На основе гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs созданы лазерные диоды с встроенной глубокой дифракционной решеткой трапециевидной формы с большим периодом. Исследованы спектры электролюминесценции и стимулированного излучения, а также ватт-амперные характеристики лазерных диодов с дифракционной решеткой. Благодаря спектральной селективности дифракционной решетки достигнуто значительное сужение спектров и люминесценции, и стимулированного излучения. Максимальная выходная оптическая мощность составила 1 Вт при токе накачки 4 А. При максимальной мощности спектр генерации имел полуширину, равную ~2 Angstrem. Продемонстрировано сужение в десятки раз спектра генерации лазера с дифракционной решеткой по сравнению с спектром генерации лазера с резонатором Фабри-Перо.
- C.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
- И.С. Тарасов. Квант. электрон., 40 (8), 661 (2010)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. lett., 40 (22), 1413 (2004)
- P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719 814 (2009)
- В.В. Васильева, Д.А. Винокуров, В.В. Золотарёв, А.Ю. Лешко, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. ФТП, 46, 252 (2012)
- J. Fricke, F. Bugge, A. Ginolas, W. John, A. Klehr, M. Matalla, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Photon. Technol. Lett., 22, 284 (2010)
- J. Fricke, W. John, A. Klehr, P. Ressel, L. Weixelbaum, H. Wenzel, G. Erbert. Semicond. Sci. Technol. 27 (5), 055 009 (2012)
- P. Blood, S. Colak, A.I. Kucharka. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 1593 (1988)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, Н.А. Рудова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 46, 682 (2011)
- Semiconductors Group IV Elements and III-V Compounds, ed. Madelung, (Berlin etc. Springer-Verlag, 1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
