"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
Золотарев В.В.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Подоскин А.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Шамахов В.В.1, Арсентьев И.Н.1, Вавилова Л.С.1, Бахвалов К.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

На основе гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs созданы лазерные диоды с встроенной глубокой дифракционной решеткой трапециевидной формы с большим периодом. Исследованы спектры электролюминесценции и стимулированного излучения, а также ватт-амперные характеристики лазерных диодов с дифракционной решеткой. Благодаря спектральной селективности дифракционной решетки достигнуто значительное сужение спектров и люминесценции, и стимулированного излучения. Максимальная выходная оптическая мощность составила 1 Вт при токе накачки 4 А. При максимальной мощности спектр генерации имел полуширину, равную ~2 Angstrem. Продемонстрировано сужение в десятки раз спектра генерации лазера с дифракционной решеткой по сравнению с спектром генерации лазера с резонатором Фабри-Перо.
  1. C.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  2. И.С. Тарасов. Квант. электрон., 40 (8), 661 (2010)
  3. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. lett., 40 (22), 1413 (2004)
  4. P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719 814 (2009)
  5. В.В. Васильева, Д.А. Винокуров, В.В. Золотарёв, А.Ю. Лешко, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. ФТП, 46, 252 (2012)
  6. J. Fricke, F. Bugge, A. Ginolas, W. John, A. Klehr, M. Matalla, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Photon. Technol. Lett., 22, 284 (2010)
  7. J. Fricke, W. John, A. Klehr, P. Ressel, L. Weixelbaum, H. Wenzel, G. Erbert. Semicond. Sci. Technol. 27 (5), 055 009 (2012)
  8. P. Blood, S. Colak, A.I. Kucharka. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 1593 (1988)
  9. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, Н.А. Рудова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 46, 682 (2011)
  10. Semiconductors Group IV Elements and III-V Compounds, ed. Madelung, (Berlin etc. Springer-Verlag, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.